基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器 - 牛斌; 钱骏; 范道雨; 王元庆; 梅亮; 戴俊杰; 林罡; 周明; 陈堂胜 (红外与毫米波学报, 2021)
TN304.2%TN315+.3%TN773; 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器.为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺.混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB.