DC-30GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计

TN432; 采用0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程.通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善.仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz,小信号增益约为8.5 dB,1 dB压缩点输出功率约为21 dBm,功率附加效率最高能达到20％以上....

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Published in电子技术应用 Vol. 44; no. 10; pp. 48 - 55
Main Authors 刘雁鹏, 魏启迪, 章国豪
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 广东工业大学 信息工程学院,广东广州,510006 2018
Subjects
分布式放大器
pHEMT
GaAs
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Summary:TN432; 采用0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程.通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善.仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz,小信号增益约为8.5 dB,1 dB压缩点输出功率约为21 dBm,功率附加效率最高能达到20％以上.
ISSN:0258-7998
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.180349