COMPUTER-AIDED DESIGN METHODS AND APPARATUS FOR MULTILEVEL INTERCONNECT TECHNOLOGIES

• Main Authors: CHANG, KEH-JENG, OH, SOO-YOUNG, LEE, KEUNMYUNG, CHANG, NORMAN, H
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.12.1993
• Edition: 5
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A computer-aided method of designing semiconductor interconnect structures for multilevel device interconnects in VLSI integrated circuits. The method integrates a batch-mode computation procedure (100) that combines a finite difference numerical simulation and a fast interpolation algorithm, an interactive design procedure (200), an interactive SPICE subcircuit generator (22) and simulator (300), and a spreadsheet-style graphical user interface (500). The method includes selecting a semiconductor interconnect construction type, displaying a first spreadsheet (502) of semiconductor construction parameters for the selected type, accessing a stored database (402, 404, 408) to read electrical characteristics of the selected type, displaying a second spreadsheet (520) of electrical performance data of the selected type, providing (222) desired electrical performance goals, and displaying a third spreadsheet (530) of construction data that matches the performance goals. L'invention se rapporte à un procédé de conception assistée par ordinateur de construction d'interconnexions à semi-conducteurs, destiné à interconnecter des dispositifs multiniveaux dans des circuits intégrés VLSI. Le procédé intègre un processus de calcul à mode séquentiel (100) qui combine une simulation numérique de différence finie et un algorithme d'interpolation rapide, un processus de conception interactive (200), un générateur de sous-circuit SPICE interactif (22) et un simulateur (300), ainsi qu'une interface graphique d'utilisateur du type feuille de calcul électronique (500). Le procédé consiste à sélectionner un type de construction d'interconnexion à semi-conducteurs, à afficher sur l'écran une première feuille de calcul électronique (502) de paramètres de construction à semi-conducteurs pour le type sélectionné, à accéder à une base de données mémorisée (402, 404, 408) pour lire les caractéristiques électriques du type sélectionné, à afficher sur l'écran une seconde feuille de calcul électronique (520) de données de performances électriques du type sélectionné, à fixer les buts que l'on desire atteindre quant aux performances électriques, et à afficher sur l'écran une troisième feuille de calcul électronique (530) de données de construction qui concorde avec les buts à atteindre concernant les performances électriques.