OHMIC ELECTRODE OF N-TYPE CUBIC BORON NITRIDE AND METHOD OF FORMING THE SAME

An ohmic electrode of n-type cubic boron nitride. The ohmic electrode consists of at least two thin films, the first layer being composed of at least one alloy selected from the group consisting of Au-Si alloy, Au-Ge alloy and Au-Si-Ge alloy and the second layer being composed of at least one metal...

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Main Authors YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUWO
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 13.06.1991
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Abstract An ohmic electrode of n-type cubic boron nitride. The ohmic electrode consists of at least two thin films, the first layer being composed of at least one alloy selected from the group consisting of Au-Si alloy, Au-Ge alloy and Au-Si-Ge alloy and the second layer being composed of at least one metal selected from the group consisting of Ni, Cr, Mo and Pt, or an alloy thereof. The invention further provides a method of forming an ohmic electrode of n-type cubic boron nitride, comprising the steps of forming on an n-type cubic boron nitride a first layer composed of at least one alloy selected from the group consisting of Au-Si alloy, Au-Ge alloy and Au-Si-Ge alloy containing 0.1 to 35 % by weight of Si and Ge, forming a second layer composed of a metal selected from the group consisting of Ni, Cr, Mo and Pt or an alloy thereof, and effecting the heat treatment in an inert atmosphere or in a vacuum. L'invention se rapporte à une électrode ohmique à base de nitrure de bore cubique de type N, qui se compose d'au moins deux films minces, la première couche étant constituée par au moins un alliage choisi dans le groupe composé des alliages Au-Si, Au-Ge et Au-Si-Ge et la seconde couche étant constituée par au moins un métal choisi dans le groupe composés des éléments Ni, Cr, Mo et Pt, ou par un alliage de ces éléments. L'invention se rapporte en outre à un procédé de production d'une électrode ohmique à base de nitrure de bore cubique de type N, qui consiste à former sur un nitrure de bore cubique de type N une première couche constituée par au moins un alliage choisi dans le groupe composé des alliages Au-Si, Au-Ge et Au-Si-Ge contenant 0,1 à 35 % en poids de Si et Ge, à former une seconde couche constituée par un métal choisi dans le groupe composé des éléments Ni, Cr, Mo et Pt ou par un alliage de ces éléments, puis à soumettre le produit ainsi formé à un traitement thermique dans une atmosphère inerte ou sous vide.
AbstractList An ohmic electrode of n-type cubic boron nitride. The ohmic electrode consists of at least two thin films, the first layer being composed of at least one alloy selected from the group consisting of Au-Si alloy, Au-Ge alloy and Au-Si-Ge alloy and the second layer being composed of at least one metal selected from the group consisting of Ni, Cr, Mo and Pt, or an alloy thereof. The invention further provides a method of forming an ohmic electrode of n-type cubic boron nitride, comprising the steps of forming on an n-type cubic boron nitride a first layer composed of at least one alloy selected from the group consisting of Au-Si alloy, Au-Ge alloy and Au-Si-Ge alloy containing 0.1 to 35 % by weight of Si and Ge, forming a second layer composed of a metal selected from the group consisting of Ni, Cr, Mo and Pt or an alloy thereof, and effecting the heat treatment in an inert atmosphere or in a vacuum. L'invention se rapporte à une électrode ohmique à base de nitrure de bore cubique de type N, qui se compose d'au moins deux films minces, la première couche étant constituée par au moins un alliage choisi dans le groupe composé des alliages Au-Si, Au-Ge et Au-Si-Ge et la seconde couche étant constituée par au moins un métal choisi dans le groupe composés des éléments Ni, Cr, Mo et Pt, ou par un alliage de ces éléments. L'invention se rapporte en outre à un procédé de production d'une électrode ohmique à base de nitrure de bore cubique de type N, qui consiste à former sur un nitrure de bore cubique de type N une première couche constituée par au moins un alliage choisi dans le groupe composé des alliages Au-Si, Au-Ge et Au-Si-Ge contenant 0,1 à 35 % en poids de Si et Ge, à former une seconde couche constituée par un métal choisi dans le groupe composé des éléments Ni, Cr, Mo et Pt ou par un alliage de ces éléments, puis à soumettre le produit ainsi formé à un traitement thermique dans une atmosphère inerte ou sous vide.
Author YOSHIDA, KATSUHITO
TSUJI, KAZUWO
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