ION IMPLANTATION DEVICE AND ION IMPLANTATION METHOD

This ion implantation device executes the following steps (a) to (d): (a) adjust the tilt angle of an object-to-be-processed holding device to a first tilt angle by a tilt angle adjustment device on the basis of information about a first implantation angle of an ion beam with respect to the object t...

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Main Authors ISHIBASHI Kazuhisa, MIYAMOTO Takahiro
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 04.07.2024
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Summary:This ion implantation device executes the following steps (a) to (d): (a) adjust the tilt angle of an object-to-be-processed holding device to a first tilt angle by a tilt angle adjustment device on the basis of information about a first implantation angle of an ion beam with respect to the object to be processed, the first implantation angle being predetermined for the first region of the object to be processed; (b) irradiate the first region of the object-to-be-processed held at the first tilt angle by the object-to-be-processed holding device with the ion beam; (c) adjust the tilt angle of the object-to-be-processed holding device to a second tilt angle by the tilt angle adjustment device on the basis of information about a second implantation angle of the ion beam with respect to the object to be processed, the second implantation angle being predetermined for the second region of the object to be processed; (d) irradiate the second region of the object-to-be-processed held at the second tilt angle by the object-to-be-processed holding device with the ion beam. La présente invention concerne un dispositif d'implantation ionique qui exécute les étapes (a) à (d) suivantes consistant à : (a) régler l'angle d'inclinaison d'un dispositif de maintien d'objet à traiter à un premier angle d'inclinaison par un dispositif de réglage d'angle d'inclinaison sur la base d'informations concernant un premier angle d'implantation d'un faisceau d'ions par rapport à l'objet à traiter, le premier angle d'implantation étant prédéfini pour la première région de l'objet à traiter ; (b) exposer la première région de l'objet à traiter maintenue au premier angle d'inclinaison par le dispositif de maintien d'objet à traiter à un rayonnement du faisceau d'ions ; (c) régler l'angle d'inclinaison du dispositif de maintien d'objet à traiter à un second angle d'inclinaison par le dispositif de réglage d'angle d'inclinaison sur la base d'informations concernant un second angle d'implantation du faisceau d'ions par rapport à l'objet à traiter, le second angle d'implantation étant prédéfini pour la seconde région de l'objet à traiter ; (d) exposer la seconde région de l'objet à traiter maintenue au second angle d'inclinaison par le dispositif de maintien d'objet à traiter à un rayonnement du faisceau d'ions. イオン注入装置は、以下の(a)~(d)のステップを実行する:(a)被処理物の第1領域に予め定められた被処理物に対するイオンビームの第1注入角度の情報に基づき、チルト角度調整装置によって被処理物保持装置のチルト角度を第1チルト角度に調整する、(b)被処理物保持装置により第1チルト角度で保持された被処理物の第1領域にイオンビームを照射する、(c)被処理物の第2領域に予め定められた被処理物に対するイオンビームの第2注入角度の情報に基づき、チルト角度調整装置によって被処理物保持装置のチルト角度を第2チルト角度に調整する、(d)被処理物保持装置により第2チルト角度で保持された被処理物の第2領域にイオンビームを照射する。
Bibliography:Application Number: WO2023JP41226