CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND METHOD FOR ESTIMATING SAMPLE CHARACTERISTICS

• Main Authors: UCHIHO Minami, YACHI Kazufumi, SHIRASAKI Yasuhiro, SAKAKIBARA Makoto, TSUNO Natsuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This charged particle beam device comprises: a charged particle source that irradiates charged particle beams on a sample; a detector that detects secondary electrons generated from the sample by irradiation of charged particle beams; a deflector that deflects charged particle beams; and an image processing device that generates an image from irradiation position information of the charged particle beam on the sample and the detection intensity of the detector. The image processing device acquires images of the sample in different charge states of the sample, and in each of the acquired images, measures the feature quantity of feature shapes that occur at the boundaries of regions of different materials, and estimates the electrical or material characteristics of the sample on the basis of the feature quantity. Un dispositif à faisceau de particules chargées comprend : une source de particules chargées qui irradie des faisceaux de particules chargées sur un échantillon ; un détecteur qui détecte des électrons secondaires générés à partir de l'échantillon par irradiation de faisceaux de particules chargées ; un déflecteur qui dévie les faisceaux de particules chargées ; et un dispositif de traitement d'image qui génère une image à partir d'informations de position d'irradiation du faisceau de particules chargées sur l'échantillon et de l'intensité de détection du détecteur. Le dispositif de traitement d'image acquiert des images de l'échantillon dans différents états de charge de l'échantillon, et dans chacune des images acquises, mesure la quantité de caractéristiques de formes de caractéristiques qui apparaissent au niveau des limites de régions de différents matériaux, et estime les caractéristiques électriques ou de matériau de l'échantillon sur la base de la quantité de caractéristiques. 荷電粒子線装置は、荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子源と、荷電粒子線の照射により試料から発生する二次電子を検出する検出器と、荷電粒子線を偏向する偏向器と、試料における荷電粒子線の照射位置情報と検出器の検出強度から画像を生成する画像処理装置と、を含む。画像処理装置は、試料の異なる帯電状態における試料の画像を取得し、取得した画像それぞれにおいて、異なる材料の領域の境界に発生する特徴形状の特徴量を測定し、特徴量に基づいて試料の電気又は材料特性を推定する。