PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNING METHOD

• Main Authors: SONG, Jungchul, BAK, Min Jun, PARK, Jong-Wan, LEE, Wan-Gyu
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 10.05.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A patterning method according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: forming a first photoresist layer on a substrate; performing first segmented exposure on the first photoresist layer with first exposure energy equal to or greater than threshold energy by using photo-exposure equipment and a reticle having lines and spaces of a mask pattern; and moving the reticle by a distance equal to or smaller than the width of the lines of the mask pattern and using the reticle to perform second segmented exposure to the first photoresist layer with second exposure energy equal to or greater than the threshold energy and form a photoresist pattern. The spatial distribution of the first exposure energy overlaps the spatial distribution of the second exposure energy. Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de formation de motifs, comprenant les étapes consistant à : former une première couche de résine photosensible sur un substrat ; effectuer une première exposition segmentée sur la première couche de résine photosensible avec une première énergie d'exposition égale ou supérieure à une énergie seuil en utilisant un équipement de photo-exposition et un réticule ayant des lignes et des espaces d'un motif de masque ; et déplacer le réticule d'une distance inférieure ou égale à la largeur des lignes du motif de masque et utiliser le réticule pour effectuer une deuxième exposition segmentée de la première couche de résine photosensible avec une deuxième énergie d'exposition égale ou supérieure à l'énergie seuil et former un motif de résine photosensible. La distribution spatiale de la première énergie d'exposition chevauche la distribution spatiale de la deuxième énergie d'exposition. 본 발명의 일 실시예에 따른 패터닝 방법은, 기판 상에 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계; 마스크 패턴의 라인과 스페이스를 가진 레티클과 노광 장비를 이용하여 문턱 에너지 이상의 제1 노광 에너지로 상기 제1 포토레지스트층에 제1 분할 노광을 수행하는 단계; 및 상기 레티클을 상기 마스크 패턴의 라인의 선폭 이하로 이동하고 상기 레티클을 이용하여 문턱 에너지 이상의 제2 노광 에너지로 상기 제1 포토레지스트층에 제2 분할 노광을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 제1 노광 에너지의 공간 분포는 상기 제2 노광 에너지의 공간 분포와 중첩된다.