SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: OKITA, Kyoko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.03.2024
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This silicon carbide substrate has a first main surface, a second main surface, and a basal surface dislocation. The second main surface is positioned on the opposite side from the first main surface. The basal surface dislocation has a linear dislocation that extends linearly, and has a length of at least 1 mm when viewed in a direction perpendicular to the first main surface. When the length of the long sides of a first region and a second region is 16.7 mm, and the length of the short sides of the first region and the second region is 6.3 mm, the number of linear dislocations does not exceed 30 in any rectangular region positioned between the first region and the second region and parallel to the first main surface, the first region being a rectangular region that is separated by 15 µm from the first main surface toward the second main surface and faces the first main surface, and the second region being a rectangular region that is separated by 15 µm from the second main surface toward the first main surface and faces the first region. La présente invention concerne un substrat de carbure de silicium ayant une première surface principale, une seconde surface principale et une dislocation de surface de base. La seconde surface principale est positionnée sur le côté opposé à la première surface principale. La dislocation de surface de base est une dislocation linéaire qui s'étend de manière linéaire et dont la longueur est supérieure ou égale à 1 mm lorsqu'elle est observée dans une direction perpendiculaire à la première surface principale. Lorsque la longueur des grands côtés d'une première région et d'une seconde région est de 16,7 mm et que la longueur des petits côtés de la première région et de la seconde région est de 6,3 mm, le nombre de dislocations linéaires ne dépasse pas 30 dans toute région rectangulaire située entre la première région et la seconde région et parallèle à la première surface principale. La première région est une région rectangulaire séparée de 15 µm de la première surface principale vers la seconde surface principale et fait face à la première surface principale, et la seconde région est une région rectangulaire séparée de 15 µm de la seconde surface principale vers la première surface principale et fait face à la première région. 炭化珪素基板は、第１主面と、第２主面と、基底面転位と、を有している。第２主面は、第１主面の反対側に位置している。基底面転位は、第１主面に対して垂直な方向に見て、線状に延び、かつ、長さが１ｍｍ以上である線状転位、を有している。第１主面から第２主面に向かって１５μｍ離れかつ第１主面に対向する長方形領域を第１領域とし、第２主面から第１主面に向かって１５μｍ離れかつ第１領域に対向する長方形領域を第２領域とし、第１領域および第２領域の各々の長辺の長さを１６．７ｍｍとし、かつ、第１領域および第２領域の各々の短辺の長さを６．３ｍｍとした場合、第１領域と第２領域との間に位置しかつ第１主面に平行な任意の長方形領域において、線状転位の数は、３０本以下である。