SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: UETA, Shunsaku, TAKAOKA, Hiroki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.01.2024
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A silicon carbide substrate according to the present invention has a main surface. The main surface comprises: a central part; and an outer peripheral part that is positioned 10 mm away from the outer peripheral edge of the main surface toward the central part. The value obtained by subtracting the lattice spacing of the (11-20) plane in the central part from the lattice spacing of the (11-20) plane in the outer peripheral part is -0.00081 nm to 0.00065 nm. The areal density of basal plane dislocations in the main surface is 700 cm-2 or more. Un substrat de carbure de silicium selon la présente invention comprend une surface principale. La surface principale comprend : une partie centrale ; et une partie périphérique externe qui est positionnée à 10 mm à l'opposé du bord périphérique externe de la surface principale vers la partie centrale. La valeur obtenue en soustrayant l'espacement de réseau du plan (11-20) dans la partie centrale de l'espacement de réseau du plan (11-20) dans la partie périphérique externe est de -0,00081 nm à 0,00065 nm. La densité surfacique de dislocations de plan basal dans la surface principale est de 700 cm-2 ou plus. 炭化珪素基板は、主面を有している。主面は、中央部と、主面の外周縁から中央部に向かって１０ｍｍ離れた位置にある外周部とを含んでいる。外周部における（１１－２０）面の格子面間隔から、中央部における（１１－２０）面の格子面間隔を差し引いた値は、－０．０００８１ｎｍ以上０．０００６５ｎｍ以下である。主面における基底面転位の面密度は、７００ｃｍ-2以上である。