SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE

• Main Author: SHIRAISHI Masaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is, in an RC-IGBT, to provide a semiconductor device that can suppress a snapback phenomenon when the IGBT is on, and hole injection from the IGBT region to a diode region when the diode is conductive, using a simple structure. The semiconductor device having an IGBT region 21 and a diode region 22 within the same chip is characterized in that the gate resistance R of the IGBT near the boundary of the IGBT region 21 and the diode region 22 is greater than the gate resistance of the IGBT near the center of the IGBT region 21. L'objectif de la présente invention est de fournir, dans un IGBT RC, un dispositif semi-conducteur apte à supprimer le phénomène de retournement (« snapback ») lorsque l'IGBT est en marche, et l'injection de trous de la région de l'IGBT vers une région de diode lorsque la diode est conductrice, à l'aide d'une structure simple. Le dispositif semi-conducteur comprenant une région IGBT 21 et une région diode 22 dans la même puce est caractérisé en ce que la résistance de grille R de l'IGBT à proximité de la limite de la région IGBT 21 et de la région diode 22 est supérieure à la résistance de grille de l'IGBT à proximité du centre de la région IGBT 21. ＲＣ－ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴがオンする際のスナップバック現象と、ダイオード導通時のＩＧＢＴ領域からダイオード領域へのホール注入とを、簡易な構造で抑制できる半導体装置を提供する。同一チップ内にＩＧＢＴ領域２１とダイオード領域２２とを有する半導体装置において、ＩＧＢＴ領域２１とダイオード領域２２との境界部近傍のＩＧＢＴのゲート抵抗Ｒが、ＩＧＢＴ領域２１の中央部近傍のＩＧＢＴのゲート抵抗よりも大きいことを特徴とする。