SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIMA, Yukinori, OHNO, Masakatsu, KOEZUKA, Junichi, JINTYOU, Masami
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

The present invention provides a semiconductor device that achieves both low power consumption and high performance. Provided is a semiconductor device comprising a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a first conductive layer, a second conductive layer, a third conductive layer, a first insulation layer, and a second insulation layer. The first insulation layer is provided on the first conductive layer. The second conductive layer is provided on the first insulation layer. The first insulation layer and the second conductive layer have an opening that reaches the first conductive layer. The first semiconductor layer makes contact with an upper surface of the first conductive layer, a side surface of the first insulation layer, and an upper surface and a side surface of the second conductive layer. The second semiconductor layer is provided on the first semiconductor layer. The second insulation layer is provided on the second semiconductor layer. The third conductive layer is provided on the second insulation layer. The conductivity of the first semiconductor layer is higher than the conductivity of the second semiconductor layer. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui permet d'obtenir à la fois une faible consommation d'énergie et une performance élevée. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une première couche semi-conductrice, une seconde couche semi-conductrice, une première couche conductrice, une deuxième couche conductrice, une troisième couche conductrice, une première couche d'isolation et une seconde couche d'isolation. La première couche d'isolation est disposée sur la première couche conductrice. La deuxième couche conductrice est disposée sur la première couche d'isolation. La première couche d'isolation et la deuxième couche conductrice ont une ouverture qui atteint la première couche conductrice. La première couche semi-conductrice entre en contact avec une surface supérieure de la première couche conductrice, une surface latérale de la première couche d'isolation, et une surface supérieure ainsi qu'une surface latérale de la seconde couche conductrice. La seconde couche semi-conductrice est disposée sur la première couche semi-conductrice. La seconde couche d'isolation est disposée sur la seconde couche semi-conductrice. La troisième couche conductrice est disposée sur la seconde couche d'isolation. La conductivité de la première couche semi-conductrice est supérieure à la conductivité de la seconde couche semi-conductrice. 低い消費電力と高い性能が両立した半導体装置を提供する。 第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第１ の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する半導体装置とする。第１の絶縁層は、第１の導電層上に設 けられる。第２の導電層は、第１の絶縁層上に設けられる。第１の絶縁層及び第２の導電層は、第 １の導電層に達する開口を有する。第１の半導体層は、第１の導電層の上面、第１の絶縁層の側面、 並びに第２の導電層の上面及び側面と接する。第２の半導体層は、第１の半導体層上に設けられる。 第２の絶縁層は、第２の半導体層上に設けられる。第３の導電層は、第２の絶縁層上に設けられる。 第１の半導体層の導電率は、第２の半導体層の導電率より高い。