COMPOSITION, COMPOUND, RESIN, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention provides a composition for semiconductor devices, the composition having excellent removability of residues, while being suppressed in dissolution of tungsten. This composition for semiconductor devices contains a resin which has a repeating unit A that is derived from a polyme...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
24.08.2023
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Summary: | The present invention provides a composition for semiconductor devices, the composition having excellent removability of residues, while being suppressed in dissolution of tungsten. This composition for semiconductor devices contains a resin which has a repeating unit A that is derived from a polymerizable compound having a nitrogen atom, and water; the ClogP of the polymerizable compound is 0.5 or more; and the solubility of the resin in water at 25°C is 0.01% by mass or more.
La présente invention concerne une composition pour dispositifs à semi-conducteur, la composition ayant une excellente aptitude à l'élimination de résidus, tout en étant supprimée lors de la dissolution de tungstène. Cette composition pour dispositifs à semi-conducteur contient une résine qui a une unité de répétition A dérivée d'un composé polymérisable ayant un atome d'azote, et de l'eau ; le ClogP du composé polymérisable est supérieur ou égal à 0,5 ; et la solubilité de la résine dans l'eau à 25 °C est supérieure ou égale à 0,01 % en masse.
本発明は、半導体デバイス用の組成物であって、残渣物の除去性に優れ、かつ、タングステンの溶解がより抑制された組成物を提供する。半導体デバイス用の組成物は、窒素原子を有する重合性化合物由来の繰返し単位Aを有する樹脂、及び、水を含み、上記重合性化合物のClogPが0.5以上であり、上記樹脂の25℃における水への溶解度が0.01質量%以上である。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2023JP03361 |