TARGET MATERIAL, HIGH-BRIGHTNESS EUV SOURCE AND METHOD FOR GENERATING EUV RADIATION

• Main Authors: ASTAKHOV, Dmitrii Igorevich, GLUSHKOV, Denis Aleksandrovich, KHRISTOFOROV, Oleg Borisovich, MEDVEDEV, Vyacheslav Valerievich, IVANOV, Vladimir Vitalievich, VINOKHODOV, Aleksandr Yurievich, LASH, Aleksandr Andreevich, KRIVOKORYTOV, Mikhail Sergeyevich, ELLWI, Samir, KOSHELEV, Konstantin Nikolaevich, KRIVTSUN, Vladimir Mikhailovich
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.07.2023
• Subjects: ALLOYS; CHEMISTRY; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; METALLURGY; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS; X-RAY TECHNIQUE

The invention relates to a Li-containing target material designed to create plasma emitting EUV radiation. The target material may be a Li-based composition with at least one further element. As an example, the further element may be selected from the groupcomprising Au, Ag, Bi, Ba, Sr. The composition is configured for increasing the density of the target material multiple times compared to the density of Li. As a result, compared with the Li target, the velocity of the droplet fraction of debris particles may be sharply reduced, which makes it possible to control the direction of its exit from the plasma due to the high velocity of the target. The target material is preferably used in a laser-produced plasma light source. Such light source may have a fast rotating target (for example at least 100 m/s). The target material may allow the creation of compact low-debris EUV light sources with high spectral brightness designed for a wide range of applications. L'invention concerne un matériau cible contenant du Li conçu pour créer un plasma émettant un rayonnement d'UVE. Le matériau cible peut être une composition à base de Li et d'au moins un autre élément. Par exemple, l'autre élément peut être choisi dans le groupe comprenant Au, Ag, Bi, Ba, et Sr. La composition est conçue pour augmenter la densité du matériau cible plusieurs fois par rapport à la densité de Li. Par conséquent, par comparaison avec la cible Li, la vitesse de la fraction de gouttelettes de particules de débris peut être fortement réduite, ce qui permet de commander la direction de sa sortie du plasma en raison de la vitesse élevée de la cible. Le matériau cible est de préférence utilisé dans une source de lumière à plasma produite par laser. Une telle source de lumière peut avoir une cible rotative rapide (par exemple d'au moins 100 m/s). Le matériau cible peut permettre la création de sources de lumière UVE compactes à faible débris avec une luminosité spectrale élevée conçue pour une large gamme d'applications.