SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
The present invention provides a device for processing a substrate. The device for processing a substrate may comprise: a housing having an inner space; a chuck for supporting a substrate in the inner space; a gas supply unit for supplying process gas to an edge region of the substrate; an edge elec...
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Format | Patent |
Language | English French Korean |
Published |
11.05.2023
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Summary: | The present invention provides a device for processing a substrate. The device for processing a substrate may comprise: a housing having an inner space; a chuck for supporting a substrate in the inner space; a gas supply unit for supplying process gas to an edge region of the substrate; an edge electrode for generating plasma from the process gas at the edge region of the substrate supported by the chuck; and a dielectric plate facing the substrate supported by the chuck, wherein the dielectric plate is movably divided.
La présente invention concerne un dispositif de traitement d'un substrat. Le dispositif de traitement d'un substrat peut comprendre : un boîtier ayant un espace interne ; un mandrin pour supporter un substrat dans l'espace interne ; une unité d'alimentation en gaz pour fournir un gaz de traitement à une région de bord du substrat ; une électrode de bord pour générer un plasma à partir du gaz de traitement au niveau de la région de bord du substrat supporté par le mandrin ; et une plaque diélectrique faisant face au substrat supporté par le mandrin, la plaque diélectrique étant divisée de façon mobile.
[요약] 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 척; 상기 기판의 가장자리 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역에 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 에지 전극; 및 상기 척에 지지된 상기 기판과 마주하는 유전체 판 - 상기 유전체 판은 이동 가능하도록 분할 됨 - 을 포함할 수 있다. [대표도] 도 3 |
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Bibliography: | Application Number: WO2022KR16637 |