SELECTIVE PASSIVATION OF DAMAGED NITRIDE

• Main Authors: BHUYAN, Bhaskar Jyoti, SALY, Mark, LU, Jiang, ZHANG, Shumao, OR, David T, MENDOZA-GUTIERREZ, Jesus Candelario, DANGERFIELD, Aaron, ZHANG, Le
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.05.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods for selectively depositing on self-assembled monolayer (SAM) are disclosed. Some embodiments of the disclosure utilize a precursor of a Formula (I), Formula (II), Formula (III), and Formula (IV): RnSi(NR'R'')(4-n) (III), RnSiX(4-n) (IV), wherein R1 and R2 are independently selected from substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl, or R1 and R2 form a substituted or unsubstituted C1-C20 cycloalkyl ring, and wherein R3, R4, R5, R6, Rn are independently selected from hydrogen, substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl, substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy, and substituted or unsubstituted C1-C20 vinyl, X is a halide selected from Cl, Br, and I, and n is an integer from 1 to 3, to form a self-assembled monolayer (SAM) on a damaged silicon nitride layer to prevent critical dimension blow out of a feature in a silicon nitride layer substrate. Sont divulgués des procédés de dépôt sélectif sur monocouche auto-assemblée (SAM). Certains modes de réalisation de la divulgation utilisent un précurseur de formule (I), de formule (II), de formule (III) et de formule (IV) : RnSi(NR'R'')(4-n) (III), RnSiX(4-n) (IV), dans lesquelles R1 et R2 sont indépendamment choisis parmi un alkyle en C1-C20 substitué ou non substitué, ou R1 et R2 forment un cycle cycloalkyle en C1-C20 substitué ou non substitué, et dans lesquelles R3, R4, R5, R6, Rn sont indépendamment choisis parmi l'hydrogène, un alkyle en C1-C20 substitué ou non substitué, un alcoxy en C1-C20 substitué ou non substitué, et un vinyle en C1-C20 substitué ou non substitué, X est un halogénure choisi parmi Cl, Br et I, et n est un nombre entier compris entre 1 et 3, pour former une monocouche auto-assemblée (SAM) sur une couche de nitrure de silicium endommagée pour empêcher un soufflage de dimension critique d'un élément dans un substrat de couche de nitrure de silicium.