LIGHT DETECTION DEVICE

• Main Authors: OKADA Masanori, FUJITA Takuya, IWASHINA Shinya, NAGANO Terumasa, ADACHI Shunsuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.03.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; COLORIMETRY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; MEASURING; PHYSICS; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; RADIATION PYROMETRY; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A light detection device is provided in which each pixel G comprises a plurality of APDs. Each APD forms a light reception region R and operates in Geiger mode. The plurality of APDs 11 form a plurality of light reception regions R in a pixel region α occupied by corresponding pixels G among the plurality of pixels G, the plurality of light reception regions R being arrayed in a direction along a main surface 40a. A MOS switch circuit region β overlaps the plurality of light reception regions R when viewed from a Z-axis direction. When viewed from the Z-axis direction, the area of the MOS switch circuit region β is greater than the area of one light reception region formed in the pixel region α, and is less than or equal to the area of the pixel region α. The plurality of APDs included in each pixel G are electrically connected in parallel to each other, and are each connected to a MOS switch circuit. La présente invention concerne un dispositif de détection de lumière dans lequel chaque pixel G comprend une pluralité d'APD. Chaque APD constitue une région de réception de lumière R et fonctionne en mode Geiger. La pluralité d'APD 11 constitue une pluralité de régions de réception de lumière R dans une région de pixel α occupée par des pixels G correspondants parmi la pluralité de pixels G, la pluralité de régions de réception de lumière R étant disposées dans une direction le long d'une surface principale 40a. Une région de circuit de commutation MOS β chevauche la pluralité de régions de réception de lumière R lorsqu'elle est vue depuis la direction de l'axe Z. Lorsqu'elle est vue depuis la direction de l'axe Z, l'aire de la région de circuit de commutation MOS β est supérieure à celle d'une région de réception de lumière formée dans la région de pixel α, et elle est inférieure ou égale à l'aire de la région de pixel α. La pluralité d'APD inclus dans chaque pixel G sont électriquement connectés en parallèle les uns aux autres, et sont chacun connectés à un circuit de commutation MOS. 光検出装置において、各画素Ｇは、複数のＡＰＤを含んでいる。各ＡＰＤは、受光領域Ｒを形成すると共にガイガーモードで動作する。複数のＡＰＤ１１は、複数の画素Ｇのうち対応する画素Ｇが占める画素領域αにおいて、主面４０ａに沿った方向に配列された複数の受光領域Ｒを形成している。ＭＯＳスイッチ回路領域βは、Ｚ軸方向から見て、複数の受光領域Ｒと重なっている。Ｚ軸方向から見て、ＭＯＳスイッチ回路領域βの面積は、画素領域αに形成されている１つの受光領域の面積よりも大きく、画素領域αの面積以下である。各画素Ｇに含まれている複数のＡＰＤは、互いに電気的に並列に接続されていると共に各々がＭＯＳスイッチ回路に接続されている。