PATTERNING DEVICE DEFECT DETECTION SYSTEMS AND METHODS
Since a mask check wafer can utilize a different process than a production wafer, a high-contrast illumination setting with lower pupil fill ratio (PFR) that leads to a reduction of the productivity of the scanner can be utilized. By selecting a high-contrast illumination setting, which is different...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
16.03.2023
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Abstract | Since a mask check wafer can utilize a different process than a production wafer, a high-contrast illumination setting with lower pupil fill ratio (PFR) that leads to a reduction of the productivity of the scanner can be utilized. By selecting a high-contrast illumination setting, which is different than that used on a production wafer, an improved ratio of particle printability to stochastic defects can be achieved. In combination, or instead higher dose resist can be utilized. This allows longer exposure of the wafer, such that the impact of photon shot noise is reduced, also resulting in an improved ratio of particle printability to stochastic defects. As a result, the particle printability can be enhanced further without leading to an excessive amount of stochastic defects. Because of this, the number of sites, and therefore the throughput, of a charged particle inspection and analysis can be significantly improved.
Étant donné qu'une tranche de contrôle de masque peut utiliser un procédé différent d'une tranche de production, on peut utiliser un réglage d'éclairage à contraste élevé présentant un rapport de remplissage de pupille inférieur (PFR) qui entraîne une réduction de la productivité du scanner. Par sélection d'un réglage d'éclairage à contraste élevé, qui est différent de celui utilisé sur une tranche de production, on peut obtenir un rapport amélioré d'imprimabilité des particules aux défauts stochastiques. En association, ou à la place, on peut utiliser une dose de réserve supérieure. Ceci permet une plus longue exposition de la tranche, de telle sorte que l'impact du bruit de grenaille est réduit, ce qui entraîne également un rapport amélioré d'imprimabilité des particules aux défauts stochastiques. Par conséquent, l'aptitude à l'impression des particules peut être davantage améliorée sans entraîner un nombre de défauts stochastiques excessif. De ce fait, le nombre de positions, et donc le rendement, d'une inspection et d'une analyse de particules chargées peuvent être considérablement améliorés. |
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AbstractList | Since a mask check wafer can utilize a different process than a production wafer, a high-contrast illumination setting with lower pupil fill ratio (PFR) that leads to a reduction of the productivity of the scanner can be utilized. By selecting a high-contrast illumination setting, which is different than that used on a production wafer, an improved ratio of particle printability to stochastic defects can be achieved. In combination, or instead higher dose resist can be utilized. This allows longer exposure of the wafer, such that the impact of photon shot noise is reduced, also resulting in an improved ratio of particle printability to stochastic defects. As a result, the particle printability can be enhanced further without leading to an excessive amount of stochastic defects. Because of this, the number of sites, and therefore the throughput, of a charged particle inspection and analysis can be significantly improved.
Étant donné qu'une tranche de contrôle de masque peut utiliser un procédé différent d'une tranche de production, on peut utiliser un réglage d'éclairage à contraste élevé présentant un rapport de remplissage de pupille inférieur (PFR) qui entraîne une réduction de la productivité du scanner. Par sélection d'un réglage d'éclairage à contraste élevé, qui est différent de celui utilisé sur une tranche de production, on peut obtenir un rapport amélioré d'imprimabilité des particules aux défauts stochastiques. En association, ou à la place, on peut utiliser une dose de réserve supérieure. Ceci permet une plus longue exposition de la tranche, de telle sorte que l'impact du bruit de grenaille est réduit, ce qui entraîne également un rapport amélioré d'imprimabilité des particules aux défauts stochastiques. Par conséquent, l'aptitude à l'impression des particules peut être davantage améliorée sans entraîner un nombre de défauts stochastiques excessif. De ce fait, le nombre de positions, et donc le rendement, d'une inspection et d'une analyse de particules chargées peuvent être considérablement améliorés. |
Author | WIELAND, Marco VAN LARE, Marie-Claire |
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