POLISHING LIQUID FOR CMP, POLISHING LIQUID SET FOR CMP, AND POLISHING METHOD

• Main Authors: MIZUTANI Makoto, KANNO Masahiro, ONUMA Taira, KURATA Yasushi, KUBOTA Shigeki, MURAKAMI Noriaki, IWANO Tomohiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.02.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a polishing liquid for CMP, wherein: the polishing liquid contains abrasive grains, an additive, and water; the abrasive grains contain cerium-based particles; the additive contains (A1) a 4-pyrone-based compound represented by general formula (1) and (B) saturated monocarboxylic acid; and the pH of the polishing liquid exceeds 4.0. Also provided is a polishing liquid for CMP, wherein: the polishing liquid contains abrasive grains, an additive, and water; the abrasive grains contain cerium-based particles; the additive contains (A2) picolinic acid and (B) saturated monocarboxylic acid; and the pH of the polishing liquid exceeds 4.0.　(In the formula, X11, X12, and X13 are each independently a hydrogen atom or a monovalent substituent group.) L'invention concerne un liquide de polissage pour CMP, dans lequel : le liquide de polissage contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau ; les grains abrasifs contiennent des particules à base de cérium ; l'additif contient (A1) un composé à base de 4-pyrone représenté par la formule générale (1) et (B) un acide monocarboxylique saturé ; et le pH du liquide de polissage dépasse 4,0. L'invention concerne également un liquide de polissage pour CMP, dans lequel : le liquide de polissage contient des grains abrasifs, un additif et de l'eau ; les grains abrasifs contiennent des particules à base de cérium ; l'additif contient (A2) l'acide picolinique et (B) l'acide monocarboxylique saturé ; et le pH du liquide de polissage est supérieur à 4,0.　(Dans la formule, X11, X12, et X13 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe substituant monovalent.) 砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、前記砥粒がセリウム系粒子を含み、前記添加剤が、（Ａ１）下記一般式（１）で表される４－ピロン系化合物と、（Ｂ）飽和モノカルボン酸と、を含み、ｐＨが４．０を超える、ＣＭＰ用研磨液。砥粒と、添加剤と、水と、を含有し、前記砥粒がセリウム系粒子を含み、前記添加剤が、（Ａ２）ピコリン酸と、（Ｂ）飽和モノカルボン酸と、を含み、ｐＨが４．０を超える、ＣＭＰ用研磨液。　［式中、Ｘ１１、Ｘ１２及びＸ１３は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基である。］