SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: SAKURAI Yosuke, HAMASAKI Ryutaro, YAMADA Takuya, OZAKI Daisuke, NOGUCHI Seiji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device (100) comprising: a first conductive-type emitter region (12) in contact with a gate trench section (40); a second conductive-type contact region (15) disposed alternately with the emitter region in the longitudinal direction of the gate trench section; a first trench contact section (54-1) provided up to the inside of the contact region; a second trench contact section (54-2) provided up to the inside of the emitter region; a second conductive-type first plug section (201) which is provided in contact with the lower end of the first trench contact section and has a higher concentration than the base region; and a second conductive-type second plug section (202) which is provided in contact with the lower end of the second trench contact section, is provided up to a lower surface side from the first plug section, and has a higher concentration than the base region. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) comprenant : une première région émettrice de type conducteur (12) en contact avec une section de tranchée de grille (40) ; une seconde région de contact de type conducteur (15) disposée en alternance avec la région émettrice dans la direction longitudinale de la section de tranchée de grille ; une première section de contact de tranchée (54-1) disposée vers l'intérieur de la région de contact ; une seconde section de contact de tranchée (54-2) disposée vers l'intérieur de la région émettrice ; une seconde section de bouchon de type conducteur (201) qui est disposée en contact avec l'extrémité inférieure de la première section de contact de tranchée et a une concentration plus élevée que la région de base ; et une seconde section de bouchon de type conducteur (202) qui est disposée en contact avec l'extrémité inférieure de la seconde section de contact de tranchée, est disposée jusqu'à un côté de surface inférieure à partir de la première section de bouchon, et a une concentration plus élevée que la région de base. ゲートトレンチ部（40）と接する第１導電型のエミッタ領域（12）と、ゲートトレンチ部の長手方向においてエミッタ領域と交互に配置された第２導電型のコンタクト領域（15）と、コンタクト領域の内部まで設けられた第１トレンチコンタクト部（54-1）と、エミッタ領域の内部まで設けられた第２トレンチコンタクト部（54-2）と、第１トレンチコンタクト部の下端に接して設けられ、ベース領域よりも高濃度の第２導電型の第１プラグ部（201）と、第２トレンチコンタクト部の下端に接して設けられ、且つ、第１プラグ部よりも下面側まで設けられた、ベース領域よりも高濃度の第２導電型の第２プラグ部（202）とを備える半導体装置（100）を提供する。