SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: IMAMURA, Yuta, KAGAWA, Takeshi, ITO, Korekiyo, HARADA, Masatomi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A capacitor 1, which is an embodiment of this semiconductor device, is provided with a substrate 10, a first electrode layer 22 which is provided on the substrate 10, a dielectric film 23 which is provided on the first electrode layer 22 and which covers the end of the first electrode layer 22, a second electrode layer 24 which is provided on the dielectric film 23, a moisture-proof membrane 25 which is provided on the dielectric film 23 and the second electrode layer 24, a protective layer 26 which is provided on the moisture-proof membrane 25, and an external electrode 27 which passes through the protective layer 26. At least part of the lateral surface 24c of the second electrode layer 24 has a tapered shape that tapers inwards from a first primary surface 24a towards a second primary surface 24b. L'invention concerne un condensateur 1, qui est un mode de réalisation de ce dispositif à semi-conducteur, qui comporte un substrat 10, une première couche d'électrode 22 qui est disposée sur le substrat 10, un film diélectrique 23 qui est disposé sur la première couche d'électrode 22 et qui recouvre l'extrémité de la première couche d'électrode 22, une seconde couche d'électrode 24 qui est disposée sur le film diélectrique 23, une membrane étanche à l'humidité 25 qui est disposée sur le film diélectrique 23 et la seconde couche d'électrode 24, une couche de protection 26 qui est disposée sur la membrane étanche à l'humidité 25, et une électrode externe 27 qui passe à travers la couche de protection 26. Au moins une partie de la surface latérale 24c de la seconde couche d'électrode 24 a une forme effilée qui s'effile vers l'intérieur à partir d'une première surface primaire 24a vers une seconde surface primaire 24b. 半導体装置の一実施形態であるキャパシタ１は、基板１０と、基板１０上に設けられた第１電極層２２と、第１電極層２２上に設けられ、第１電極層２２の端部を覆う誘電体膜２３と、誘電体膜２３上に設けられた第２電極層２４と、誘電体膜２３及び第２電極層２４上に設けられた耐湿膜２５と、耐湿膜２５上に設けられた保護層２６と、保護層２６を貫通する外部電極２７と、を備える。第２電極層２４の側面２４ｃの少なくとも一部は、第１主面２４ａから第２主面２４ｂに向かうにつれて内側に傾くテーパー形状を有する。