METAL ETCH IN HIGH ASPECT-RATIO FEATURES

• Main Authors: CHEN, Xiaolin C, CUI, Zhenjiang, WANG, Baiwei, WANG, Anchuan, REDDY, Rohan Puligoru, JAN, Oliver
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure. Des procédés de gravure de l'invention donnés à titre d'exemple peuvent consister à faire s'écouler un précurseur contenant du fluor et un gaz secondaire dans une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Le gaz secondaire peut être ou comprendre de l'oxygène ou de l'azote. Un rapport de débit du précurseur contenant du fluor au gaz secondaire peut être supérieur ou égal à environ 1:1. Les procédés peuvent consister à mettre en contact un substrat avec le précurseur contenant du fluor et le gaz secondaire. Le substrat peut comprendre un métal mis à nu. Le substrat peut définir une structure à rapport de forme élevé. Les procédés peuvent consister à graver le métal mis à nu dans la structure à rapport de forme élevé.