FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD USING SAME

• Main Authors: MASUKAWA, Takashige, MUROTANI, Hiroshi, OHTAKI, Yoshiyuki, MIYAUCHI, Mitsuhiro, SHIMIZU, Tadayuki, MATSUDAIRA, Takayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.10.2022
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention comprises: a film forming chamber (2a) in which at least a vapor deposition material (M) and a vapor deposition-receiving object (S) are provided; exhaust devices (3, 4) that depressurize the entire interior of the film forming chamber; a gas supply device (8) that supplies a gas which will not react with the formed film to a first region (R1) including the vapor deposition-receiving object; a shutoff member (7) that suppresses the flow of the gas supplied from the gas supply device toward a second region (R2) including the vapor deposition material; and a control device (10) that causes the vaporized vapor deposition material to form a film on the vapor deposition-receiving object. La présente invention comprend : une chambre de formation de film (2a) dans laquelle se trouvent au moins un matériau de dépôt en phase vapeur (M) et un objet de réception de dépôt en phase vapeur (S) ; des dispositifs d'échappement (3, 4) qui dépressurisent la totalité de l'intérieur de la chambre de formation de film ; un dispositif d'alimentation en gaz (8) qui fournit un gaz qui ne va pas réagir avec le film formé sur une première région (R1) comprenant l'objet de réception de dépôt en phase vapeur ; un élément d'arrêt (7) qui supprime l'écoulement du gaz fourni par le dispositif d'alimentation en gaz vers une seconde région (R2) comprenant le matériau de dépôt en phase vapeur ; et un dispositif de commande (10) qui amène le matériau de dépôt en phase vapeur vaporisé à former un film sur l'objet de réception de dépôt en phase vapeur. 少なくとも蒸着材料（Ｍ）と被蒸着物（Ｓ）とが設けられる成膜室（２ａ）と、前記成膜室の内部全体を減圧する排気装置（３，４）と、前記被蒸着物を含む第１領域（Ｒ１）に、形成した膜と反応しないガスを供給する給気装置（８）と、前記給気装置から供給したガスが、前記蒸着材料を含む第２領域（Ｒ２）に向かって流れるのを抑制する遮断部材（７）と、前記蒸発した蒸着材料を前記被蒸着物に成膜する制御装置（１０）と、を備える。