SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

• Main Authors: NISHIDE Hajime, SHIBATA Shuichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

This substrate processing method includes: a holding step (S1); a liquid feed step (S2); a plasma source arrangement step; an atmosphere replacement step (S3); an interval reduction step (S5); and a plasma processing step (S6). In the holding step (S1), a substrate holding portion holds a substrate. In the liquid feed step (S2), a processing liquid is fed onto a main surface of the substrate. In the plasma source arrangement step, a separation between a plasma source and the substrate is a first separation. In the atmosphere replacement step (S3), a gas is fed between the main surface of the substrate and the plasma source at a first flow rate. In the separation reduction step (S5), the separation between the plasma source and the substrate is reduced to a second separation. In the plasma processing step (S6), in a state in which the separation is the second separation and the plasma source is lit, either the gas is fed to a space between the main surface of the substrate and the plasma source at a second flow rate lower than the first flow rate, or the gas feed is stopped. Procédé de traitement de substrat comprend les étapes suivantes : une étape de maintien (S1) ; une étape d'alimentation en liquide (S2) ; une étape d'agencement de source de plasma ; une étape de remplacement d'atmosphère (S3) ; une étape de réduction d'intervalle (S5) ; et une étape de traitement au plasma (S6). Dans l'étape de maintien (S1), une partie de maintien de substrat maintient un substrat. Dans l'étape d'alimentation en liquide (S2), un liquide de traitement est introduit sur une surface principale du substrat. Dans l'étape de placement de la source de plasma, une séparation entre une source de plasma et le substrat constitue une première séparation. Dans l'étape de remplacement de l'atmosphère (S3), un gaz est délivré entre la surface principale du substrat et la source de plasma à un premier débit. Dans l'étape de réduction de séparation (S5), la séparation entre la source de plasma et le substrat est réduite à une seconde séparation. Dans l'étape de traitement au plasma (S6), dans une configuration où la séparation est la deuxième séparation et où la source de plasma est allumée, soit le gaz est alimenté dans un espace entre la surface principale du substrat et la source de plasma à un deuxième débit inférieur au premier débit, soit l'alimentation en gaz est arrêtée. 基板処理方法は保持工程（Ｓ１）と液供給工程（Ｓ２）とプラズマ源配置工程と雰囲気置換工程（Ｓ３）と間隔低減工程（Ｓ５）とプラズマ処理工程（Ｓ６）とを含む。保持工程（Ｓ１）では、基板保持部が基板を保持する。液供給工程（Ｓ２）では、基板の主面に処理液を供給する。プラズマ源配置工程では、プラズマ源と基板と間隔が第１間隔となる。雰囲気置換工程（Ｓ３）では、基板の主面とプラズマ源との間に第１流量でガスを供給する。間隔低減工程（Ｓ５）では、プラズマ源と基板との間隔を第２間隔まで低減させる。プラズマ処理工程（Ｓ６）では、当該間隔が第２間隔となり、かつ、プラズマ源が点灯した状態において、基板の主面とプラズマ源との間の空間に第１流量よりも小さい第２流量でガスを供給する、もしくは、ガスの供給を停止する。