III-NITRIDE DEVICES WITH THROUGH-VIA STRUCTURES

• Main Authors: LAL, Rakesh K, NEUFELD, Carl Joseph, RHODES, David Michael, BISI, Davide, MISHRA, Umesh, GUPTA, Geetak
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device comprises a III-N device including an insulating substrate. The insulating substrate includes a first side and a second side. The device further includes a III-N material structure on a first side of the insulating substrate, and a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on a side of the III-N material structure opposite the substrate. A backmetal layer on the second side of the insulating substrate, and a via hole is formed through the III-N material structure and the insulating substrate. A metal formed in the via-hole is electrically connected to the drain electrode on the first side of the substrate and electrically connected to the backmetal layer on the second side of the substrate. Un dispositif à semi-conducteur comprend un dispositif au N-III comprenant un substrat isolant. Le substrat isolant comporte un premier côté et un second côté. Le dispositif au N-III comprend en outre une structure de matériau au N-III sur un premier côté du substrat isolant, et une grille d'électrode, une électrode source et une électrode déversoir sur un côté de la structure de matériau au N-III à l'opposé du substrat. Une couche de métal arrière sur le second côté du substrat isolant, et un trou d'interconnexion est formé à travers la structure de matériau N-III et le substrat isolant. Un métal formé dans le trou d'interconnexion est électriquement connecté à l'électrode déversoir sur le premier côté du substrat et connecté électriquement à la couche de métal arrière sur le second côté du substrat.