SINGLE CHAMBER FLOWABLE FILM FORMATION AND TREATMENTS

• Main Authors: LAI, Canfeng, FISCHBACH, Adam J, TANAKA, Tsutomu, PAUL, Khokan Chandra
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Exemplary processing methods may include forming a plasma of a silicon-containing precursor. The methods may include depositing a flowable film on a semiconductor substrate with plasma effluents of the silicon-containing precursor. The semiconductor substrate may be housed in a processing region of a semiconductor processing chamber. The processing region may be defined between a faceplate and a substrate support on which the semiconductor substrate is seated. The methods may include forming a treatment plasma within the processing region of the semiconductor processing chamber. The treatment plasma may be formed at a first power level from a first power source. A second power may be applied to the substrate support from a second power source at a second power level. The methods may include densifying the flowable film within the feature defined within the semiconductor substrate with plasma effluents of the treatment plasma. Des procédés de traitement donnés à titre d'exemple peuvent consister à former un plasma d'un précurseur contenant du silicium. Les procédés peuvent consister à déposer un film fluide sur un substrat semi-conducteur avec des effluents de plasma du précurseur contenant du silicium. Le substrat semi-conducteur peut être logé dans une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. La région de traitement peut être délimitée entre une plaque avant et un support de substrat sur lequel repose le substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent consister à former un plasma de traitement à l'intérieur de la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Le plasma de traitement peut être formé à un premier niveau de puissance émanant d'une première source de puissance. Une seconde puissance peut être appliquée au support de substrat à partir d'une seconde source de puissance à un second niveau de puissance. Les procédés peuvent consister à densifier le film fluide à l'intérieur de la caractéristique délimitée à l'intérieur du substrat semi-conducteur avec des effluents de plasma du plasma de traitement.