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Summary:Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, aufweisend folgende Schritte a) Bereitstellen eines Substrats (2) mit einer Vorderseite (21) und einer Rückseite (22) in einer Abscheidevorrichtung (1), und b) in situ Beschichtung des Substrats (2) mit zwei Schichten, aufweisend b1) Oxidation mittels Aussetzens des Substrats zu einem sauerstoffhaltigen Gas und einem ersten Plasma zur Erzeugung einer Oxid-Schicht (3) und b2) anschließende Abscheidung einer Silizium-Schicht (4) oder SiC-Schicht mittels Aussetzens zu einem siliziumhaltigen Gas, einem optionalen kohlenstoffhaltigen Gas und einem zweiten Plasma, wobei der Schritt b) unter Vakuum in der Abscheidevorrichtung (1) durchführt wird und das Vakuum durchgehend während des Schritts b) aufrechterhalten wird. The invention relates to a method for producing a solar cell, comprising the following steps: a) providing a substrate (2) having a front side (21) and a back side (22) in a deposition apparatus (1), and b) coating the substrate (2) in situ with two layers, comprising b1) oxidizing, by exposing the substrate to an oxygen-containing gas and a first plasma, to create an oxide layer (3) and b2) subsequently depositing a silicon layer (4) or SiC layer by exposure to a gas containing silicon, an optional gas containing carbon and a second plasma, wherein step b) is carried out under vacuum in the deposition apparatus (1) and the vacuum is maintained continuously during step b). L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, comprenant les étapes suivantes : a) mise en place d'un substrat (2) présentant une face avant (21) et une face arrière (22) dans un dispositif de dépôt (1) et b) revêtement in situ du substrat (2) avec deux couches, présentant b1) une oxydation par exposition du substrat à un gaz contenant de l'oxygène et un premier plasma pour produire une couche d'oxyde (3), puis b2) un dépôt d'une couche de silicium (4) ou d'une couche de SiC par exposition à un gaz contenant du silicium, un gaz carboné optionnel et un deuxième plasma, l'étape b) étant mise en œuvre sous vide dans le dispositif de dépôt (1) et le vide étant maintenu en continu pendant l'étape b).
Bibliography:Application Number: WO2021DE100633