SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE

• Main Authors: KANEGUCHI Tokihisa, MASUDA Yoshiaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present technology relates to a semiconductor package that can improve the quality of a semiconductor package of a WCSP structure, and a method for producing the semiconductor package. Provided is a semiconductor package comprising: a semiconductor substrate provided with a light-receiving element; an on-chip lens arranged on the incident surface side of the semiconductor substrate; a resin layer in contact with a central portion including the most protruding portion of the on-chip lens; and a glass substrate in contact with the surface of the resin layer opposite to the surface in contact with the on-chip lens, wherein a space is provided between the peripheral portion around the central portion of the on-chip lens and the resin layer. The present technology is applicable to, for example, an imaging element. La présente technologie concerne un boîtier de semi-conducteur qui peut améliorer la qualité d'un boîtier de semi-conducteur d'une structure WCSP, et un procédé de production du boîtier de semi-conducteur. L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur pourvu d'un élément de réception de lumière; une lentille sur puce disposée sur le côté surface incidente du substrat semi-conducteur; une couche de résine en contact avec une partie centrale comprenant la partie la plus en saillie de la lentille sur puce; et un substrat de verre en contact avec la surface de la couche de résine opposée à la surface en contact avec la lentille sur puce, un espace étant prévu entre la partie périphérique autour de la partie centrale de la lentille sur puce et la couche de résine. La présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un élément d'imagerie. 本技術は、ＷＣＳＰ構造の半導体パッケージの品質を向上させることができるようにする半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法に関する。 半導体パッケージは、受光素子を備える半導体基板と、前記半導体基板の入射面側に配置されているオンチップレンズと、前記オンチップレンズの最も突出した部分を含む中央部と接している樹脂層と、前記樹脂層の前記オンチップレンズと接している面と反対側の面に接しているガラス基板とを備え、前記オンチップレンズの前記中央部の周囲の周辺部と前記樹脂層との間に空間が設けられている。本技術は、例えば、撮像素子に適用できる。