BACK-END-OF-LINE (BEOL) SIDEWALL METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR

• Main Authors: GOKTEPELI, Sinan, AZZAZY, Farid, VEDULA, Ravi Pramod Kumar
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.08.2021
• Subjects: ELECTRICITY

An integrated circuit (IC) is described. The IC includes a substrate and a plurality of back-end-of-line (BEOL) layers on the substrate. The IC also includes a trench having tapered sidewalls and a base in a BEOL layer of the plurality of BEOL layers on the substrate. The IC further includes a metal-insulator-metal (MIM) capacitor on the tapered sidewalls and the base of the trench in the BEOL layer. The MIM capacitor includes a first conductive layer to line the tapered sidewalls and the base of the trench. The MIM capacitor also includes a dielectric layer to line the first conductive layer on the tapered sidewalls and the base of the trench. The MIM capacitor further includes a second conductive layer on the dielectric layer and filling the trench in the BEOL layer. L'invention porte sur un circuit intégré (CI). Le CI comprend un substrat et une pluralité de couches d'extrémité arrière de ligne (BEOL) sur le substrat. Le CI comprend également une tranchée ayant des parois latérales effilées et une base dans une couche BEOL de la pluralité de couches BEOL sur le substrat. Le CI comprend en outre un condensateur métal-isolant-métal (MIM) sur les parois latérales effilées et la base de La tranchée dans la couche BEOL. Le condensateur MIM comprend une première couche conductrice pour doubler les parois latérales effilées et la base de la tranchée. Le condensateur MIM comprend également une couche diélectrique pour doubler la première couche conductrice sur les parois latérales effilées et la base de la tranchée. Le condensateur MIM comprend en outre une seconde couche conductrice sur la couche diélectrique et remplissant la tranchée dans la couche BEOL.