SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: KUBOUCHI Motoyoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having an upper surface and a lower surface and including a bulk donor; and a hydrogen increasing section wherein the hydride concentration increases monotonally from the upper surface towards the lower surface. The hydrogen increasing section is provided across at least 30% of the thickness of the semiconductor substrate in the depth direction. The donor concentration in the hydrogen increasing section is higher than the bulk donor concentration. The semiconductor device can be produced by injecting hydrogen ions to a predetermined first injection position inside the semiconductor substrate, from the upper surface of the semiconductor substrate, grinding the underside of the semiconductor substrate, removing some of a region in which hydrogen is present, and heat-treating the semiconductor substrate. Dispositif à semi-conducteurs comprenant : un substrat à semi-conducteurs ayant une surface supérieure et une surface inférieure et comprenant un donneur de masse ; et une section d'augmentation d'hydrogène dans laquelle la concentration d'hydrure augmente de manière monotone de la surface supérieure vers la surface inférieure. La section d'augmentation d'hydrogène est disposée sur au moins 30 % de l'épaisseur du substrat à semi-conducteurs dans la direction de profondeur. La concentration en donneur dans la section d'augmentation d'hydrogène est supérieure à la concentration en donneur de masse. Le dispositif à semi-conducteurs peut être produit par l'injection d'ions hydrogène à une première position d'injection prédéfinie à l'intérieur du substrat à semi-conducteurs, à partir de la surface supérieure du substrat à semi-conducteurs, le broyage de la face inférieure du substrat à semi-conducteurs, le retrait d'une partie d'une région dans laquelle de l'hydrogène est présent, et le traitement thermique du substrat à semi-conducteurs. 上面および下面を有し、バルク・ドナーを含む半導体基板と、上面から下面に向かって、水素化学濃度が単調に増加する水素増加部とを備え、水素増加部は、半導体基板の深さ方向における厚みの３０％以上に渡って設けられ、水素増加部におけるドナー濃度は、バルク・ドナー濃度よりも高い半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板の上面から、半導体基板の内部の予め定められた第１注入位置に水素イオンを注入し、半導体基板の下面を研削して、水素が存在する領域の一部を除去し、半導体基板を熱処理することで製造できる。