BONDED SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING BONDED SUBSTRATE

• Main Author: EBIGASE Takashi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.06.2021
• Subjects: ARTIFICIAL STONE; CEMENTS; CERAMICS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDINGMATERIALS; CONCRETE; LIME, MAGNESIA; METALLURGY; REFRACTORIES; SLAG; TREATMENT OF NATURAL STONE

This bonded substrate comprises a ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer. The ceramic substrate has a principal surface with a flat region with a maximum height Rz of at most 10 µm. The ceramic substrate has a particle defect hole with a depth of 10-60 µm, which is exposed on the principal surface, and which makes a portion of the principal surface have a lower flatness than the flatness of the flat region. The copper plate includes a first portion disposed on the flat region, and a second portion filling the particle defect hole. The bonding layer includes a third portion covering the flat region, and a fourth portion filling the particle defect hole, and the second portion and the fourth portion fill at least 80% of the volume of the particle defect hole. The bonding layer bonds the copper plate to the principal surface. Le substrat lié selon l'invention comprend un substrat en céramique, une plaque de cuivre et une couche de liaison. Le substrat en céramique possède une surface principale dotée d'une région plate ayant une hauteur maximale Rz inférieure ou égale à 10 µm. Le substrat en céramique possède un trou de défaut de particule ayant une profondeur de 10 à 60 µm, qui est apparent sur la surface principale, et qui réduit la planéité d'une partie de la surface principale par rapport à la planéité de la région plate. La plaque de cuivre comprend une première partie disposée sur la région plate, et une deuxième partie remplissant le trou de défaut de particule. La couche de liaison comprend une troisième partie recouvrant la région plate, et une quatrième partie remplissant le trou de défaut de particule, et la deuxième partie et la quatrième partie remplissent au moins 80 % du volume du trou de défaut de particule. La couche de liaison lie la plaque de cuivre à la surface principale. 接合基板は、セラミック基板、銅板及び接合層を備える。セラミック基板は、最大高さＲｚが１０μｍ以下の平坦領域を有する主面を有する。セラミック基板は、主面に露出し平坦領域の平坦性より低い平坦性を主面の一部に付与する深さが１０μｍ以上６０μｍ以下の粒子欠損穴を有する。銅板は、平坦領域上に配置される第１の部分と、粒子欠損穴を埋める第２の部分と、を備える。接合層は、平坦領域を被覆する第３の部分と、粒子欠損穴を埋める第４の部分と、を備え、第２の部分及び第４の部分は、粒子欠損穴の体積の８０％以上を埋める。接合層は、銅板を主面に接合する。