SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ITO Hiroaki, SEKIYA Hiroki, TADA Nobumitsu, HISAZATO Yuuji, WATANABE Naotake, TASHIRO Shota, IIO Naotaka, ICHIKURA Yuta, MIZUTANI Mami
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.01.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device capable of reducing deterioration caused by temperature change. The semiconductor device 1 has: at least one semiconductor element 21 having a power supply-side electrode 211 to which current is input and a load-side electrode 212 that is formed on a surface parallel to the power supply-side electrode 211 and from which current is output; a first conductive section 22 fixed to and electrically connected to either the power supply-side electrode 211 or the load-side electrode 212 in the semiconductor element 21; a second conductive section 23 fixed to and electrically connected to the other out of the power supply-side electrode 211 and the load-side electrode 212 in the semiconductor element 21 and arranged in parallel to the first conductive section 22; and a cooling unit 4 fixed, via a buffering section 6, to at least either the first conductive section 22 or the second conductive section 23. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur capable de réduire la détérioration provoquée par un changement de température. Le dispositif à semi-conducteur 1 a : au moins un élément semi-conducteur 21 ayant une électrode côté alimentation 211 à laquelle un courant est entré et une électrode côté charge 212 qui est formée sur une surface parallèle à l'électrode côté alimentation 211 et à partir de laquelle un courant est délivré ; une première section conductrice 22 fixée à et électriquement connectée l'électrode côté alimentation 211 ou à l'électrode côté charge 212 dans l'élément semi-conducteur 21 ; une seconde section conductrice 23 fixée à et électriquement connectée à l'autre électrode côté alimentation électrique 211 et à l'électrode côté charge 211 dans l'élément semi-conducteur 21 et disposée parallèlement à la première section conductrice 22 ; et une unité de refroidissement 4 fixée, par l'intermédiaire d'une section tampon 6, à au moins la première section conductrice 22 ou la seconde section conductrice 23. 温度変化による劣化を軽減することができる半導体装置を提供する。半導体装置１は、電流が入力される電源側電極２１１と、電源側電極２１１に対して平行となる面に形成され、電流が出力される負荷側電極２１２と、を有する一つ以上の半導体素子２１と、半導体素子２１の電源側電極２１１、負荷側電極２１２のいずれか一方に固定され電気的に接続された第１の導電部２２と、半導体素子２１の電源側電極２１１、負荷側電極２１２の余の一方に固定され電気的に接続され、第１の導電部２２に平行に配置された第２の導電部２３と、第１の導電部２２、第２の導電部２３の少なくとも一方に、緩衝部６を介して固定された冷却部４と、を有する。