DISPLAY DEVICE USING MICRO LED AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: KIM, Jungsub, PARK, Changseo, KIM, Junghoon
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 14.01.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present specification provides a micro LED display device which minimizes a short-circuit fault by using a semiconductor light emitting element including multiple passivation layers formed therein, and a manufacturing method thereof. In a display device using a plurality of semiconductor light emitting elements according to one embodiment of the present invention, at least one of the semiconductor light emitting elements comprises: a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer; an active layer; a first conductive electrode; a second conductive electrode; and a first passivation layer and a second passivation layer successively disposed to surround the lateral surfaces of the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the second passivation layer is positioned in a region excluding parts in contact with a first electrode and a second electrode, on the first conductive electrode and the second conductive electrode. La présente invention concerne un dispositif d'affichage à micro-DEL qui minimise un défaut de court-circuit en utilisant un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant de multiples couches de passivation formées à l'intérieur en son sein, et son procédé de fabrication. Dans un dispositif d'affichage utilisant une pluralité d'éléments électroluminescents à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention, au moins l'un des éléments électroluminescents à semi-conducteur comprend : une première couche semi-conductrice conductrice ; une seconde couche semi-conductrice conductrice ; une couche active ; une première électrode conductrice ; une seconde électrode conductrice ; et une première couche de passivation et une seconde couche de passivation disposées successivement pour entourer les surfaces latérales de la première couche semi-conductrice conductrice et de la seconde couche semi-conductrice conductrice, la seconde couche de passivation étant positionnée dans une région excluant des parties en contact avec une première électrode et une seconde électrode, sur la première électrode conductrice et la seconde électrode conductrice. 본 명세서에서는 다중 패시베이션층이 형성된 반도체 발광 소자를 이용하여 쇼트 불량을 최소화하는 마이크로 LED 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 개시한다. 여기서 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 반도체 발광 소자들을 이용하는 디스플레이 장치에서, 상기 반도체 발광 소자들 중 적어도 하나는, 제 1도전형 반도체층, 제 2도전형 반도체층, 활성층, 제 1도전형 전극, 제 2도전형 전극 및 상기 제 1도전형 반도체층과 상기 제 2도전형 반도체층의 측면을 감싸도록 순차적으로 배치되는 제 1패시베이션층 및 제 2패시베이션층을 포함하고, 상기 제 1도전형 전극 및 상기 제 2도전형 전극의 상부에서, 제 1전극 및 제 2전극과 접촉하는 부분을 제외한 영역은 상기 제 2패시베이션층이 위치하는 것을 특징으로 한다.