ELECTRODE FOR ELECTROLYSIS, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRODE FOR ELECTROLYSIS

• Main Authors: SANAGAWA, Yoshiharu, ERMAN, Mohd, SHINNO, Fumitoshi, ADACHI, Hiroshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.10.2020
• Subjects: APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTIONOF COMPOUNDS OR NON-METALS; METALLURGY

The present invention suppresses peeling of a composite layer. An electrically conductive substrate (2) contains at least titanium. An intermediate layer (3) is provided on one primary surface (21) of the electrically conductive substrate (2). A composite layer (4) is provided on the intermediate layer (3). The composite layer (4) has a plurality of tantalum layers (41) and a plurality of catalyst layers (42). Each of the plurality of catalyst layers (42) contains platinum and iridium. Each of the plurality of tantalum layers (41) is formed from tantalum oxide, tantalum or a mixture of tantalum oxide and tantalum. In the composite layer (4), the plurality of tantalum layers (41) and the plurality of catalyst layers (42) are arranged alternately in the thickness direction (D1) of the electrically conductive substrate (2). In the composite layer (4), one of the plurality of tantalum layers (41) is a bottom layer that is closest to the one primary surface (21) of the electrically conductive substrate (2), and one of the plurality of catalyst layers (42) is a top layer that is furthest from the one primary surface (21) of the electrically conductive substrate (2). La présente invention supprime le décollement d'une couche composite. Un substrat électroconducteur (2) contient au moins du titane. Une couche intermédiaire (3) est disposée sur une surface principale (21) du substrat électroconducteur (2). Une couche composite (4) est disposée sur la couche intermédiaire (3). La couche composite (4) comporte une pluralité de couches de tantale (41) et une pluralité de couches de catalyseur (42). Chaque couche de catalyseur de la pluralité de couches de catalyseur (42) contient du platine et de l'iridium. Chaque couche de tantale de la pluralité de couches de tantale (41) est composée d'oxyde de tantale, de tantale ou d'un mélange d'oxyde de tantale et de tantale. Dans la couche composite (4), la pluralité de couches de tantale (41) et la pluralité de couches de catalyseur (42) sont disposées en alternance dans le sens de l'épaisseur (D1) du substrat électroconducteur (2). Dans la couche composite (4), une couche de tantale de la pluralité de couches de tantale (41) est une couche inférieure qui est la plus proche de la surface principale (21) du substrat électroconducteur (2), et une couche de catalyseur de la pluralité de couches de catalyseur (42) est une couche supérieure qui est la plus éloignée de la surface principale (21) du substrat électroconducteur (2). 複合層の剥離を抑制する。導電性基板（２）は、少なくともチタンを含む。中間層（３）は、導電性基板（２）の一の主面（２１）上に設けられている。複合層（４）は、中間層（３）上に設けられている。複合層（４）は、複数のタンタル層（４１）と、複数の触媒層（４２）と、を有する。複数の触媒層（４２）の各々は、白金とイリジウムとを含む。複数のタンタル層（４１）の各々が、酸化タンタル、タンタル、又は酸化タンタルとタンタルの混合物により形成されている。複合層（４）では、導電性基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）において複数のタンタル層（４１）と複数の触媒層（４２）とが一層ずつ交互に並んでいる。複合層（４）では、複数のタンタル層（４１）のうち１つのタンタル層（４１）が導電性基板（２）の一の主面（２１）に最も近い最下層であり、複数の触媒層（４２）のうち１つの触媒層（４２）が導電性基板（２）から最も遠い最上層である。