QUARTS GLASS CRUCIBLE
[Problem] To provide a quartz glass crucible from which a silicon single crystal having a low oxygen concentration and a stabilized oxygen concentration distribution in the drawing-up direction can be drawn up. [Solution] A quartz glass crucible 1 having a cylindrical side wall part 10a, a bottom pa...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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02.07.2020
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Abstract | [Problem] To provide a quartz glass crucible from which a silicon single crystal having a low oxygen concentration and a stabilized oxygen concentration distribution in the drawing-up direction can be drawn up. [Solution] A quartz glass crucible 1 having a cylindrical side wall part 10a, a bottom part 10b, and a corner part 10c that connects the side wall part 10a and the bottom part 10b to each other, the quartz glass crucible 1 being provided with a transparent layer 11 made from a quartz glass containing no air bubble and an air-bubbled layer 12 formed from a quartz glass containing many air bubbles and arranged outside the transparent layer 11. The ratio of the infrared ray transmissivity of the corner part 10c at the thickest position thereof to the infrared ray transmissivity of the side wall part 10a is 0.3 to 0.99 inclusive, and the absolute value of the change rate of the infrared ray transmissivity as measured in the height direction along the wall surface of the crucible from the center of the bottom part 10b toward the top edge of the side wall part 10a is 3 %/cm or less.
L'invention a pour objet un creuset en verre de quartz à partir duquel un monocristal de silicium ayant une faible concentration en oxygène et une distribution stabilisée de la concentration en oxygène dans la direction de tirage peut être tiré. À cet effet, l'invention porte sur un creuset en verre de quartz (1) comprenant une partie paroi latérale cylindrique (10a), une partie fond (10b) et une partie coude (10c) qui relie la partie paroi latérale (10a) et la partie fond (10b) l'une à l'autre, le creuset en verre de quartz (1) étant pourvu d'une couche transparente (11) formée à partir d'un verre de quartz ne contenant pas de bulles d'air et d'une couche (12) à bulles d'air formée à partir d'un verre de quartz contenant de nombreuses bulles d'air et disposée à l'extérieur de la couche transparente (11). Le rapport de la transmissivité des rayons infrarouges de la partie coude (10c) là où elle est la plus épaisse à la transmissivité des rayons infrarouges de la partie paroi latérale (10a) est de 0,3 à 0,99, bornes incluses, et la valeur absolue du taux de variation de la transmissivité des rayons infrarouges mesurée dans la direction de la hauteur le long de la surface de la paroi du creuset du centre de la partie fond (10b) vers le bord supérieur de la partie paroi latérale (10a) est inférieure ou égale à 3 %/cm.
【課題】酸素濃度が低く、引き上げ軸方向の酸素濃度分布が安定したシリコン単結晶を引き上げることが可能な石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】円筒状の側壁部10aと、底部10bと、側壁部10aと底部10bとをつなぐコーナー部10cとを有する石英ガラスルツボ1であって、気泡を含まない石英ガラスからなる透明層11と、多数の気泡を含む石英ガラスからなり透明層11の外側に設けられた気泡層12とを備えている。側壁部10aの赤外線透過率に対するコーナー部10cの肉厚最大位置における赤外線透過率の比は0.3以上0.99以下であり、底部10bの中心から側壁部10aの上端に向かうルツボの壁面に沿った高さ方向の赤外線透過率の変化率の絶対値は3%/cm以下である。 |
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AbstractList | [Problem] To provide a quartz glass crucible from which a silicon single crystal having a low oxygen concentration and a stabilized oxygen concentration distribution in the drawing-up direction can be drawn up. [Solution] A quartz glass crucible 1 having a cylindrical side wall part 10a, a bottom part 10b, and a corner part 10c that connects the side wall part 10a and the bottom part 10b to each other, the quartz glass crucible 1 being provided with a transparent layer 11 made from a quartz glass containing no air bubble and an air-bubbled layer 12 formed from a quartz glass containing many air bubbles and arranged outside the transparent layer 11. The ratio of the infrared ray transmissivity of the corner part 10c at the thickest position thereof to the infrared ray transmissivity of the side wall part 10a is 0.3 to 0.99 inclusive, and the absolute value of the change rate of the infrared ray transmissivity as measured in the height direction along the wall surface of the crucible from the center of the bottom part 10b toward the top edge of the side wall part 10a is 3 %/cm or less.
L'invention a pour objet un creuset en verre de quartz à partir duquel un monocristal de silicium ayant une faible concentration en oxygène et une distribution stabilisée de la concentration en oxygène dans la direction de tirage peut être tiré. À cet effet, l'invention porte sur un creuset en verre de quartz (1) comprenant une partie paroi latérale cylindrique (10a), une partie fond (10b) et une partie coude (10c) qui relie la partie paroi latérale (10a) et la partie fond (10b) l'une à l'autre, le creuset en verre de quartz (1) étant pourvu d'une couche transparente (11) formée à partir d'un verre de quartz ne contenant pas de bulles d'air et d'une couche (12) à bulles d'air formée à partir d'un verre de quartz contenant de nombreuses bulles d'air et disposée à l'extérieur de la couche transparente (11). Le rapport de la transmissivité des rayons infrarouges de la partie coude (10c) là où elle est la plus épaisse à la transmissivité des rayons infrarouges de la partie paroi latérale (10a) est de 0,3 à 0,99, bornes incluses, et la valeur absolue du taux de variation de la transmissivité des rayons infrarouges mesurée dans la direction de la hauteur le long de la surface de la paroi du creuset du centre de la partie fond (10b) vers le bord supérieur de la partie paroi latérale (10a) est inférieure ou égale à 3 %/cm.
【課題】酸素濃度が低く、引き上げ軸方向の酸素濃度分布が安定したシリコン単結晶を引き上げることが可能な石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】円筒状の側壁部10aと、底部10bと、側壁部10aと底部10bとをつなぐコーナー部10cとを有する石英ガラスルツボ1であって、気泡を含まない石英ガラスからなる透明層11と、多数の気泡を含む石英ガラスからなり透明層11の外側に設けられた気泡層12とを備えている。側壁部10aの赤外線透過率に対するコーナー部10cの肉厚最大位置における赤外線透過率の比は0.3以上0.99以下であり、底部10bの中心から側壁部10aの上端に向かうルツボの壁面に沿った高さ方向の赤外線透過率の変化率の絶対値は3%/cm以下である。 |
Author | KITAHARA Ken FUJITA Takeshi KATANO Tomokazu KITAHARA Eriko |
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SubjectTerms | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH GLASS MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
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