MAGNETORESISTIVE ELEMENT

• Main Authors: SUEMITSU Katsumi, UEKI Makoto
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.05.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This magnetoresistive element has a layered structure 50 that includes at least a fixed magnetic layer, an intermediate layer, and a storage layer, wherein the layered structure 50 has a metal layer 61 formed thereon or thereabove, an orthographic image of the layered structure 50 relative to the metal layer 61 is included in the metal layer 61, and EGib-0(T)<EGib-1(T) and/or EGib-2(T)≤EGib-0(T) is satisfied where EGib-0(T) is the Gibbs energy of formation of oxides of metal atoms that compose the metal layer 61 at a temperature T(°C) of 0 to 40°C, EGib-1(T) is the smallest Gibbs energy for the Gibbs energy of formation of oxides of metal atoms that compose the fixed magnetic layer and the storage layer at temperature T, and EGib-2(T) is the largest Gibbs energy for the Gibbs energy of formation of oxides of metal atoms that compose the intermediate layer. Le présent élément magnétorésistif a une structure en couches 50 qui comprend au moins une couche magnétique fixe, une couche intermédiaire, et une couche de stockage, la structure en couches 50 ayant une couche métallique 61 formée sur celle-ci ou au-dessus de celle-ci, une image orthographique de la structure en couches 50 par rapport à la couche métallique 61 est incluse dans la couche métallique 61, et EGib-0(T)<EGib-1(T) et/ou EGib-2(T)≤EGib-0(T) est satisfaite lorsque EGib-0(T) est l'énergie Gibbs de la formation d'oxydes d'atomes métalliques qui composent la couche métallique 61 à une température T(°C) de 0 à 40 °C, EGib-1(T) est la plus petite énergie Gibbs pour l'énergie Gibbs de formation d'oxydes d'atomes métalliques qui composent la couche magnétique fixe et la couche de stockage à la température T, et EGib-2(T) est la plus grande énergie Gibbs pour l'énergie Gibbs de formation d'oxydes d'atomes métalliques qui composent la couche intermédiaire. 本開示の磁気抵抗素子は、少なくとも、磁化固定層、中間層及び記憶層から成る積層構造体５０を有しており、積層構造体５０の上又は上方には金属層６１が形成されており、金属層６１に対する積層構造体５０の正射影像は金属層６１に含まれており、０゜Ｃ以上、４００゜Ｃ以下の温度Ｔ（゜Ｃ）における金属層６１を構成する金属原子の酸化物・生成ギブスエネルギーをＥGib-0（Ｔ）、温度Ｔにおける磁化固定層及び記憶層を構成する金属原子の酸化物・生成ギブスエネルギーの内、最小のギブスエネルギーをＥGib-1（Ｔ）、中間層を構成する金属原子の酸化物・生成ギブスエネルギーの内、最大のギブスエネルギーをＥGib-2（Ｔ）としたとき、ＥGib-0（Ｔ）＜ＥGib-1（Ｔ）、及び／又は、ＥGib-2（Ｔ）≦ＥGib-0（Ｔ）を満足する。