METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING WARPAGE IN WAFER LEVEL PACKAGING PROCESSES

• Main Authors: KRISTY, Ang Yu Xin, SEE, Guan Huei, SULAIMAN, Muhammad Azim Bin Syed, RAFI, Mohamed, LIANTO, Prayudi, SUNDARRAJAN, Arvind, ELUMALAI, Karthik, THIRUNAVUKARASU, Sriskantharajah
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 30.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and apparatus for producing fine pitch patterning on a substrate. Warpage correction of the substrate is accomplished on a carrier or carrier-less substrate. A first warpage correction process is performed on the substrate by raising and holding a temperature of the substrate to a first temperature and cooling the carrier-less substrate to a second temperature. Further wafer level packaging processing is then performed such as forming vias in a polymer layer on the substrate. A second warpage correction process is then performed on the substrate by raising and holding a temperature of the substrate to a third temperature and cooling the substrate to a fourth temperature. With the warpage of the substrate reduced, a redistribution layer may be formed on the substrate with a 2/2µm l/s fine pitch patterning. L'invention concerne des procédés et un appareil de production de formation de motifs à pas fin sur un substrat. Une correction de gauchissement du substrat est réalisée sur un substrat avec ou sans support. Un premier processus de correction de gauchissement est réalisé sur le substrat par élévation et maintien d'une température du substrat à une première température et par refroidissement du substrat sans support à une deuxième température. Un traitement d'encapsulation sur tranche supplémentaire est ensuite effectué de manière à former des trous d'interconnexion dans une couche polymère sur le substrat. Un second processus de correction de gauchissement est ensuite effectué sur le substrat par élévation et maintien d'une température du substrat à une troisième température et par refroidissement du substrat à une quatrième température. Avec la réduction du gauchissement du substrat, une couche de redistribution peut être formée sur le substrat avec une formation de motifs à pas fin de 2/2 µm l/s.