DETERMINING TILT ANGLE IN PATTERNED ARRAYS OF HIGH ASPECT RATIO STRUCTURES

• Main Authors: KLINE, Regis Joseph, THOMPSON, William Dean, SUNDAY, Daniel F, WU, Wenli, ZHANG, Jin, CHEN, Xiaoshu, SORKHABI, Osman
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 06.02.2020
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

Provided herein are methods and apparatus for characterizing high aspect ratio (HAR) structures of fabricated or partially fabricated semiconductor devices. The methods involve using small angle X-ray scattering (SAXS) to determine average parameters of an array of HAR structures. In some implementations, SAXS is used to analyze symmetry of HAR structures in a sample and may be referred to as tilted structural symmetry analysis - SAXS (TSSA-SAXS) or TSSA. Analysis of parameters such as tilt, sidewall angle, bowing, and the presence of multiple tilts in HAR structures may be performed. L'invention concerne des procédés et un appareil pour caractériser des structures à rapport d'aspect élevé (HAR) de dispositifs à semi-conducteur fabriqués ou partiellement fabriqués. Les procédés impliquent l'utilisation d'une diffusion de rayons X à petit angle (SAXS) pour déterminer des paramètres moyens d'un réseau de structures HAR. Dans certains modes de réalisation, SAXS est utilisé pour analyser la symétrie de structures HAR dans un échantillon et peut être désigné par analyse de symétrie structurelle inclinée-SAXS (TSSA-SAXS) ou TSSA. L'analyse de paramètres tels que l'inclinaison, l'angle de paroi latérale, la courbure et la présence de multiples inclinaisons dans des structures HAR peut être effectuée.