MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING MAGNETIC STORAGE ELEMENT

• Main Authors: HOSOMI, Masanori, BESSHO, Kazuhiro, HIGO, Yutaka, HASE, Naoki, UCHIDA, Hiroyuki, SATO, Yo, OHMORI, Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INDUCTANCES; MAGNETS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSFORMERS

The present invention provides a magnetic storage element that has a multilayer structure which is composed of a fixed layer (102) that has a fixed magnetization direction, a storage layer (106) that has a reversible magnetization direction, and a non-magnetic layer (104) that is held between the fixed layer (102) and the storage layer (106). With respect to this magnetic storage element, the magnetization direction is along the stacking direction of the multilayer structure; and the fixed layer (102) or the storage layer (106) has a region which contains at least one content element that is selected from the element group consisting of B, C, N, Al, Mg and Si in an amount of from 30 atom% to 80 atom% (inclusive). La présente invention concerne un élément de stockage magnétique qui a une structure multicouche qui est composée d'une couche fixe (102) qui a une direction de magnétisation fixe, d'une couche de stockage (106) qui a une direction de magnétisation réversible, et une couche non magnétique (104) qui est maintenue entre la couche fixe (102) et la couche de stockage (106). Par rapport à cet élément de stockage magnétique, la direction de magnétisation est le long de la direction d'empilement de la structure multicouche ; et la couche fixe (102) ou la couche de stockage (106) a une région qui contient au moins un élément de contenu qui est choisi dans le groupe d'éléments constitué de B, C, N, Al, Mg et Si en une quantité de 30 % atomique à 80 % atomique (inclus). 磁化方向が固定された固定層（１０２）と、磁化方向が反転可能な記憶層（１０６）と、前記固定層（１０２）と前記記憶層（１０６）との間に挟持された非磁性層（１０４）とからなる積層構造を備え、前記磁化方向は、前記積層構造の積層方向に沿った方向を持ち、前記固定層（１０２）又は前記記憶層（１０６）は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉからなる元素群から選択される少なくとも１つの含有元素を、３０ａｔｍ％以上、８０ａｔｍ％以下含む領域を有する、磁気記憶素子を提供する。