SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: KAKEHATA, Tetsuya, ENDO, Yuta
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device having a large on-state current and excellent reliability. The semiconductor device includes first to fifth insulators, first to third oxides, and first to fourth conductors. The fifth insulator has an opening through which the second oxide is exposed. The third oxide is disposed in contact with the bottom of the opening and the side of the opening. The second insulator is disposed in contact with the third oxide. The third conductor is disposed in contact with the second insulator. The third insulator is disposed in contact with the upper surface of the third conductor and in contact with the second insulator. The fourth conductor is disposed in contact with the third insulator and the upper surface of the third conductor, and is disposed inside the opening with the third oxide, the second insulator and the third insulator therebetween. The fourth insulator is in contact with the upper surface of the first insulator, the side surface of the first oxide, the side surface of the second oxide, the side surface of the first conductor, the upper surface of the first conductor, the side surface of the second conductor, and the upper surface of the second conductor. The third insulator is less permeable to one or both of oxygen and hydrogen than the second insulator. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant un courant élevé à l'état passant et une excellente fiabilité. Le dispositif à semi-conducteur comprend des premier à cinquième isolants, des premier à troisième oxydes, et des premier à quatrième conducteurs. Le cinquième isolant a une ouverture à travers laquelle le second oxyde est exposé. Le troisième oxyde est disposé en contact avec le fond de l'ouverture et le côté de l'ouverture. Le deuxième isolant est disposé en contact avec le troisième oxyde. Le troisième conducteur est disposé en contact avec le deuxième isolant. Le troisième isolant est disposé en contact avec la surface supérieure du troisième conducteur et en contact avec le deuxième isolant. Le quatrième conducteur est disposé en contact avec le troisième isolant et la surface supérieure du troisième conducteur, et est disposé à l'intérieur de l'ouverture avec le troisième oxyde, le deuxième isolant et le troisième isolant entre eux. Le quatrième isolant est en contact avec la surface supérieure du premier isolant, la surface latérale du premier oxyde, la surface latérale du deuxième oxyde, la surface latérale du premier conducteur, la surface supérieure du premier conducteur, la surface latérale du deuxième conducteur, et la surface supérieure du deuxième conducteur. Le troisième isolant est moins perméable à l'oxygène et/ou à l'hydrogène que le deuxième isolant. 要約書 オン電流が大きく、信頼性が良好な半導体装置を提供する。 第１乃至５の絶縁体と、 第１乃至３の酸化物と、 第１乃至４の導電体と、 を有し、 第５の絶縁体は第 ２の酸化物を露出する開口を有し、第３の酸化物は開口の底部および開口の側部に接して配置され、 第２の絶縁体は第３の酸化物に接して配置され、 第３の導電体は第２の絶縁体に接して設置され、 第 ３の絶縁体は第３の導電体の上面と接し、 かつ第２の絶縁体に接して配置され、 第４の導電体は第３ の絶縁体、 および第３の導電体の上面と接し、 かつ第３の酸化物、 第２の絶縁体、 および第３の絶縁 体を介して、 開口内に配置され、 第４の絶縁体は第１の絶縁体の上面、 第１の酸化物の側面、 第２の 酸化物の側面、 第１の導電体の側面、 第１の導電体の上面、 第２の導電体の側面、 第２の導電体の上 面と接し、第３の絶縁体は第２の絶縁体よりも酸素および水素の一方または双方を透過し難い半導体 装置。