IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE

• Main Author: NOUDO Shinichiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PHYSICS; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The objective of the invention is to mitigate the occurrence of cross-talks in an imaging element of the back-illuminated type. This imaging element is equipped with: a polarization section; and a pixel provided with a photoelectric conversion section, a pixel circuit, and a wiring layer. The photoelectric conversion section is formed on a semiconductor substrate and performs photoelectric conversion on the basis of incoming light. The pixel circuit generates an image signal corresponding to a charge generated by the photoelectric conversion. The wiring layer is disposed on a side of the semiconductor substrate that is different from the side wherefrom the incoming light enters, and transmits either the image signal or a signal impressed on the pixel circuit. The polarization section is disposed between the semiconductor substrate and the wiring layer and causes to be transmitted, out of the incoming light transmitted through the photoelectric conversion section, light in a specific polarization orientation. L'objectif de l'invention est d'atténuer l'apparition de diaphonie dans un élément d'imagerie du type à rétroéclairage. Cet élément d'imagerie est équipé : d'une section de polarisation ; et d'un pixel pourvu d'une section de conversion photoélectrique, d'un circuit de pixel et d'une couche de câblage. La section de conversion photoélectrique est formée sur un substrat semi-conducteur et réalise une conversion photoélectrique sur la base de la lumière entrante. Le circuit de pixel génère un signal d'image correspondant à une charge générée par la conversion photoélectrique. La couche de câblage est disposée sur un côté du substrat semi-conducteur qui est différent du côté à partir duquel la lumière entrante entre, et transmet soit le signal d'image soit un signal imprimé sur le circuit de pixel. La section de polarisation est disposée entre le substrat semi-conducteur et la couche de câblage et provoque la transmission, hors de la lumière entrante transmise à travers la section de conversion photoélectrique, de la lumière dans une orientation de polarisation spécifique. 裏面照射型の撮像素子におけるクロストークの発生を軽減する。　撮像素子は、光電変換部、画素回路および配線層を備える画素と偏光部とを具備する。光電変換部は、半導体基板に形成されて入射光に基づく光電変換を行う。画素回路は、光電変換により生成された電荷に応じた画像信号を生成する。配線層は、半導体基板における入射光が入射する面とは異なる面に配置されて画像信号または画素回路に印加される信号の何れかを伝達する。偏光部は、半導体基板および配線層の間に配置されて光電変換部を透過した入射光のうち特定の偏光方向の光を透過させる。