CLEANING A SURFACE OF AN OPTIC WITHIN A CHAMBER OF AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE

• Main Authors: BAEK, Jonghoon, ABRAHAM, Mathew
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.05.2019
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; X-RAY TECHNIQUE

A method is described to clean a surface of an optic (115) within a chamber (125) of an extreme ultraviolet (EUV) light source (100). The chamber is held at a pressure below atmospheric pressure. The method includes generating a material in a plasma state at a location adjacent to the optic surface (110) and within the chamber, the generating comprising transforming a native material (135) that is already present within the vacuum chamber and adjacent the optic surface from a first state into the plasma state (130). The plasma state of the material includes free radicals of the material. The material in the plasma state is generated by enabling the material in the plasma state to pass over the optic surface to remove debris (107) from the optic surface without removing the optic from the EUV light source. L'invention concerne un procédé de nettoyage d'une surface d'une optique (115) située à l'intérieur d'une chambre (125) d'une source de lumière (100) ultraviolette extrême (EUV). La chambre est maintenue à une pression inférieure à la pression atmosphérique. Le procédé comprend la génération d'un matériau dans un état de plasma à un emplacement adjacent à la surface de l'optique (110) et à l'intérieur de la chambre, la génération comprenant la transformation d'un matériau natif (135) déjà présent à l'intérieur de la chambre à vide et adjacent à la surface de l'optique pour le faire passer d'un premier état à l'état de plasma (130). L'état de plasma du matériau comprend des radicaux libres du matériau. Le matériau qui est dans l'état de plasma est généré en permettant au matériau qui est dans l'état de plasma de passer sur la surface de l'optique pour éliminer les débris (107) de la surface de l'optique sans retirer l'optique de la source de lumière EUV.