MEASURING HEIGHT DIFFERENCE IN PATTERNS ON SEMICONDUCTOR WAFERS

• Main Authors: AVNIEL, Yan, BARAM, Mor, KHRISTO, Sergey, SCHWARZBAND, Ishai, GIRMONSKY, Doron, KRIS, Roman, LEVI, Shimon
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.12.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An improved technique for determining height difference in patterns provided on semiconductor wafers uses real measurements (e.g., measurements from SEM images) and a height difference determination model. In one version of the model, a measurable variable of the model is expressed in terms of a function of a change in depth of shadow (i.e. relative brightness), wherein the depth of shadow depends on the height difference as well as width difference between two features on a semiconductor wafer. In another version of the model, the measurable variable is expressed in terms of a function of a change of a measured distance between two characteristic points on the real image of a periodic structure with respect to a change in a tilt angle of a scanning electron beam. Une technique améliorée pour déterminer une différence de hauteur dans des motifs fournis sur des tranches de semi-conducteur utilise des mesures réelles (par exemple, des mesures à partir d'images MEB) et un modèle de détermination de différence de hauteur. Dans une version du modèle, une variable mesurable du modèle est exprimée en fonction d'un changement de profondeur d'ombre (c'est-à-dire la luminosité relative), la profondeur d'ombre dépendant de la différence de hauteur ainsi que de la différence de largeur entre deux caractéristiques sur une tranche de semi-conducteur. Dans une autre version du modèle, la variable mesurable est exprimée en fonction d'un changement d'une distance mesurée entre deux points caractéristiques sur l'image réelle d'une structure périodique par rapport à un changement d'un angle d'inclinaison d'un faisceau d'électrons de balayage.