PILLAR-SHAPED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: MASUOKA Fujio, HARADA Nozomu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an SGT circuit having: first conductor layers (15a, 21) which include semiconductor atoms of Si and are in contact with an N+ region (2a), a P+ region (3a) or a TiN layer (10d) of a Si pillar 6, and outer circumferences of which are further outward than the outer circumference of a SiO2 layer (11d), in a plan view; and a second conductor layer (22) which includes metal atoms of Ni is connected to outer circumferential sections of the first conductor layers (15a, 21), and extends in the horizontal direction. L'invention concerne un circuit SGT comportant : des premières couches conductrices (15a, 21) qui comprennent des atomes semi-conducteurs de Si et sont en contact avec une région N+ (2a), une région P+ (3a) ou une couche de TiN (10d) d'un pilier en Si (6), dont les circonférences extérieures sont davantage vers l'extérieur que la circonférence extérieure d'une couche de SiO2 (11d), dans une vue en plan ; et une deuxième couche conductrice (22), qui comprend des atomes métalliques de Ni, est reliée à des sections circonférentielles extérieures des premières couches conductrices (15a, 21), et se prolonge dans la direction horizontale. Ｓｉ柱６のＮ＋領域（２ａ）、Ｐ＋領域（３ａ）、またはＴｉＮ層（１０ｄ）に接し、且つ、平面視において、その外周がＳｉＯ２層（１１ｄ）の外周より外側にある半導体原子Ｓｉを含む第１の導体層（１５ａ、２１）と、第１の導体層（１５ａ、２１）の外周部に繋がり、水平方向に伸延する金属原子Ｎｉを含む第２の導体層（２２）を有したＳＧＴ回路。