CONFINED AND SCALABLE HELMET

• Main Authors: SHARMA, Vyom, AUTH, Christopher P, BAMBERY, Rohan K, LIAO, Szuya S, THAREJA, Gaurav
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An embodiment includes a system comprising: a first gate and a first contact that correspond to a transistor and are on a first fin; a second gate and a second contact that correspond to a transistor and are on a second fin; an interlayer dielectric (ILD) collinear with and between the first and second contacts; wherein (a) the first and second gates are collinear and the first and second contacts are collinear; (b) the ILD includes a recess that comprises a cap layer including at least one of an oxide and a nitride. Other embodiments are described herein. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un système comprenant : une première grille et un premier contact qui correspondent à un transistor et sont situés sur une première ailette ; une seconde grille et un second contact qui correspondent à un transistor et se trouvent sur une seconde ailette ; et un diélectrique intercouche (ILD) colinéaire avec les premier et second contacts et situé entre ces derniers ; dans lequel (a) les première et seconde grilles sont colinéaires et les premier et second contacts sont colinéaires ; et (b) l'ILD comporte un évidement qui comprend une couche de recouvrement comprenant un oxyde et/ou un nitrure. D'autres modes de réalisation sont décrits dans la description.