ZIRCONIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET

• Main Authors: SCHULTHEIS, Markus, SIMONS, Christoph, SCHOTT, Anna, HERZOG, Andreas
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.06.2017
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention relates to a sputtering target, which comprises a zirconium oxide as a sputtering material, wherein the zirconium oxide -has an oxygen deficiency, compared to the oxygen content of its fully oxidized form, of at least 0.40 wt%, -has a total amount of metal elements other than zirconium of less than 3.0 wt%, based on the total amounts of metal elements including zirconium, and -has an X-ray powder diffraction pattern having a peak P1 at 28.2° +/-0.2° 2-theta, a peak P2 at 31.4° +/-0.2° 2-theta, and a peak P3 at 30.2° +/-0.2° 2-theta. La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique qui comprend un oxyde de zirconium en tant que matériau de pulvérisation, l'oxyde de zirconium présentant : une déficience en oxygène d'au moins 0,40 % par rapport à la teneur en oxygène de sa forme complètement oxydée ; une quantité totale d'éléments métalliques autres que le zirconium inférieure à 3,0 %, sur la base des quantités totales des éléments métalliques, zirconium compris ; et un motif de diffraction de rayons X sur poudre présentant un pic P1 pour une valeur 2-thêta de 28,2° +/- 0,2°, un pic P2 pour une valeur de 2-thêta de 31,4° +/- 0,2° et un pic P3 pour une valeur de 2-thêta de 30,2° +/- 0,2°.