GRADED IN-SITU CHARGE TRAPPING LAYERS TO ENABLE ELECTROSTATIC CHUCKING AND EXCELLENT PARTICLE PERFORMANCE FOR BORON-DOPED CARBON FILMS

• Main Authors: KULSHRESHTHA, Prashant, Kumar, DUAN, Ziqing, BANSAL, Amit, Kumar, KHAJA, Abdul, Aziz, YE, Zheng, John
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 08.12.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present disclosure generally relates to processing chamber seasoning layers having a graded composition. In one example, the seasoning layer is a boron-carbon-nitride (BCN) film. The BCN film may have a greater composition of boron at the base of the film. As the BCN film is deposited, the boron concentration may approach zero, while the relative carbon and nitrogen concentration increases. The BCN film may be deposited by initially co-flowing a boron precursor, a carbon precursor, and a nitrogen precursor. After a first period of time, the flow rate of the boron precursor may be reduced. As the flow rate of boron precursor is reduced, RF power may be applied to generate a plasma during deposition of the seasoning layer. La présente invention concerne, de manière générale, des couches de protection de chambre de traitement ayant une composition variant graduellement. Dans un exemple, la couche de protection est un film de nitrure de bore-carbone (BCN). Le film de BCN peut présenter une plus grande teneur en bore à la base du film. Au fur et à mesure que le film de BCN est déposé, la concentration en bore peut se rapprocher de zéro, tandis que la concentration relative de carbone et d'azote augmente. Le film de BCN peut être déposé en faisant circuler conjointement, au départ, un précurseur de bore, un précurseur de carbone et un précurseur d'azote. Après une premier laps de temps, le débit du précurseur de bore peut être réduit. Au fur et à mesure que le débit de précurseur de bore est réduit, une puissance RF peut être appliquée pour générer un plasma pendant le dépôt de la couche de protection.