MEMRISTANCE FEEDBACK TUNING

• Main Authors: MERCED GRAFALS, Emmanuelle J, WHITAKER, Luke, FOLTIN, Martin
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 08.12.2016
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

An example device in accordance with an aspect of the present disclosure includes at least one current comparator, a plurality of threshold currents, and a controller. The current comparator is to compare a memristor current to a plurality of threshold currents. The controller is to set a desired memristance state of a memristor according to a memristance feedback tuning loop based on a plurality of threshold levels. The controller is to apply positive and negative voltages to the memristor during the feedback tuning loop to achieve the desired memristance state of the memristor. Un dispositif donné à titre d'exemple selon un aspect de la présente invention comprend au moins un comparateur de courant, une pluralité de courants de seuil et un contrôleur. Le comparateur de courant sert à comparer un courant d'une résistance mémoire à une pluralité de courants de seuil. Le contrôleur sert à définir un état souhaité de memristance d'une résistance mémoire selon une boucle d'ajustage à rétroaction de memristance sur la base d'une pluralité de niveaux de seuil. Le contrôleur sert à appliquer des tensions positives et négatives à la résistance mémoire durant la boucle d'ajustage à rétroaction afin d'obtenir l'état souhaité de memristance de la résistance mémoire.