SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Author: ANDO Yukihiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present disclosure relates to a semiconductor device and an electronic device in which fluctuations and deterioration in transistor characteristics can be decreased. A first connection pad having a first wire connected thereto and a first floating metal that is larger than the first connection pad are formed on a bonding surface of a first substrate. A second connection pad having a second wire connected thereto and a second floating metal that is larger than the second connection pad are formed on a bonding surface of a second substrate. The first connection pad is connected to the second floating metal, the second floating metal is connected to the first floating metal, and the first floating metal is connected to the second connection pad. The first floating metal and the second floating metal that are formed on the first substrate and the second substrate, respectively, are bonded to each other. The present disclosure can be applied to, for example, a CMOS solid-state imaging device used for an imaging device such as a camera. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un dispositif électronique permettant de diminuer les fluctuations et la détérioration des caractéristiques de transistor. Une première plage de connexion ayant un premier fil connecté à celle-ci et un premier métal flottant qui est plus grand que la première plage de connexion sont formés sur une surface de liaison d'un premier substrat. Une seconde plage de connexion ayant un second fil connecté à celle-ci et un second métal flottant qui est plus grand que la seconde plage de connexion sont formés sur une surface de liaison d'un second substrat. La première plage de connexion est connectée au second métal flottant, le second métal flottant est connecté au premier métal flottant, et le premier métal flottant est connecté à la seconde plage de connexion. Le premier métal flottant et le second métal flottant, qui sont formés sur le premier substrat et le second substrat, respectivement, sont liés l'un à l'autre. La présente invention peut être appliquée, par exemple, dans un dispositif d'imagerie à semi-conducteur CMOS utilisé pour un dispositif d'imagerie tel qu'une caméra. 　本開示は、トランジスタ特性の変動および劣化を低減することができるようにする半導体装置、および電子機器に関する。 第１の基板の貼り合わせ面に、第１の配線が接続されている第１の接続パッドと、第１の接続パッドに対して大きい第１の浮遊金属が形成され、第２の基板の貼り合わせ面に、第２の配線が接続されている第２の接続パッドと、第２の接続パッドに対して大きい第２の浮遊金属が形成される。第１の接合パッドと第２の浮遊金属、第２の浮遊金属と第１の浮遊金属、第１の浮遊金属と第２の接合パッドとが接続されており、第１の基板および第２の基板に形成されていたそれぞれの第１の浮遊金属および第２の浮遊金属が貼り合わされる。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。