A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY IN PRINTED CIRCUIT BOARD

• Main Authors: HUA, CHANH, NGUYEN, VINCENT, FUJII, DAVID B, GE, NING, YANG, JIANHUA, WARNES, LIDIA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.05.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided in one example is an article. The article including: a first electrode; a switching layer disposed over at least a portion of the first electrode, the switching layer including a metal oxide; and a second electrode disposed over at least a portion of the switching layer. The first electrode, the switching layer, and the second electrode are parts of a resistive random-access memory, and one or both of the first electrode and the second electrode is a part of a layer of a printed circuit board. La présente invention concerne un exemple d'un article. L'article comprend : une première électrode ; une couche de commutation disposée sur au moins une portion de la première électrode, la couche de commutation comprenant un oxyde métallique ; et une seconde électrode disposée sur au moins une portion de la couche de commutation. La première électrode, la couche de commutation et la seconde électrode sont des parties d'une mémoire vive résistive et l'une ou les deux électrodes parmi la première électrode et la seconde électrode est/sont une partie d'une couche d'une carte de circuit imprimé.