PLASMA CVD DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING MAGNETIC RECORDING MEDIUM

• Main Authors: SEKINO HIROYASU, TANAKA MASAFUMI, WATANABE TOSHIYUKI, ABE KOUJI, OKUDAIRA KOHEI, HONDA YUUJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.12.2015
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INFORMATION STORAGE; INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORDCARRIER AND TRANSDUCER; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PHYSICS; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

[Problem] To minimize the incidence of abnormal electrical discharge during forming of a CVD film. [Solution] A plasma CVD device is provided with: a chamber (102); an anode (104); a cathode (103); a retaining portion for retaining a film deposition substrate (101) that is disposed so as to oppose the cathode and an electrode surface (104a) of the anode; a plasma wall (88) provided so as to cover a space (87); an anti-adhesive member (91) disposed between a first gap (81) between the anode and the plasma wall, and a first inner surface (102a) of the chamber; and a platform (92) disposed between the anti-adhesive member and the rear surface (104b) of the anode, and electrically connected to the anode. The first gap, a second gap (82) between the anode and the anti-adhesive member, a third gap (83) between the rear surface of the anode and the platform, a fourth gap (84) between the plasma wall and the anti-adhesive member, and a fifth gap (85) between the anti-adhesive member and the platform all measure 4 mm or less in maximum diameter. Le problème à résoudre dans le cadre de l'invention consiste à réduire à un minimum l'incidence d'une décharge électrique anormale au cours du formage d'un film de dépôt chimique en phase vapeur. La solution consiste en un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma qui comprend : une chambre (102) ; une anode (104) ; une cathode (103) ; une partie de retenue destinée à retenir un substrat de dépôt de film (101) qui est disposé de sorte à s'opposer à la cathode et à une surface d'électrode (104a) de l'anode ; une paroi à plasma (88) agencée de sorte à couvrir un espace (87) ; un élément anti-adhésif (91) disposé entre un premier espace (81) entre l'anode et la paroi à plasma, et une première surface interne (102a) de la chambre ; et une plate-forme (92) disposée entre l'élément anti-adhésif et la surface arrière (104b) de l'anode, et raccordée électriquement à l'anode. Le premier espace, un deuxième espace (82) entre l'anode et l'élément anti-adhésif, un troisième espace (83) entre la surface arrière de l'anode et la plate-forme, un quatrième espace (84) entre la paroi à plasma et l'élément anti-adhésif, et un cinquième espace (85) entre l'élément anti-adhésif et la plate-forme présentent tous un diamètre maximal égal ou inférieur à 4 mm. 【課題】ＣＶＤ膜の成膜中に異常放電の発生を抑制する。 【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１０２と、アノード１０４と、カソード１０３と、アノードの電極面１０４ａ及びカソードに対向するように配置される被成膜基板１０１を保持する保持部と、空間８７を覆うように設けられたプラズマウォール８８と、アノードとプラズマウォールとの間の第１隙間８１とチャンバーの第１内面１０２ａとの間に配置された防着部材９１と、防着部材とアノードの背面１０４ｂとの間に配置され、アノードに電気的に接続された台座９２を具備し、第１隙間、アノードと防着部材との間の第２隙間８２、アノードの背面と台座との間の第３隙間８３、プラズマウォールと防着部材との間の第４隙間８４、及び防着部材と台座との間の第５隙間８５それぞれの最大径が４ｍｍ以下である。